氧化镁因化学惰性,禁带宽度为7.8 eV,本征材料介电常数为9.8,被选作高K介质材料,可以用在MOSFET中取代SiO2作为新的绝缘层介质。氧化镁薄膜光学和电学性质以及膜厚等对制造和表征这些光电器件显得极为重要,因此这些成为了本文的研究重点。本论文中,分别用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)和射频磁控溅射法(R.F...
如上表,45nm 及以下节点,采用HKMG(High-k Metal Gate)工艺,使用高k材料做栅介质层;45nm以上的节点,主要使用氧化硅做栅介质层。什么是栅介质层?如上图,图中位于上方的灰色区域表示栅极(gate),通过施加电压在栅极,控制源极和漏极之间的电流沟道形成与否。栅极下面的...
高k介质材料是一种新型材料,具有优良的电学、光学性能,广泛应用于电子、光学等领域。随着科技的不断进步,高k介质材料的市场前景非常广阔。 在电子领域,高k介质材料是制造电子元器件的重要材料之一。其优良的电学性能可以显著提高电子元器件的容量和稳定性,被广泛应用于存储器、处理器、功率器件等产品中。随着电子信息...
高k介质材料简介高k介质材料沉积 高k介质材料简介高k介质材料的定义和特性1.高k介质材料是具有高介电常数的绝缘材料,用于在电子设备中储存电能和减少漏电。2.高k介质材料的特性包括高介电常数、低漏电电流、高击穿电压和良好的热稳定性。高k介质材料的分类1.高k介质材料主要分为氧化物、氮化物和氟化物等几大类。
新一代栅介质材料——高K材料李驰平,王波,宋雪梅,严辉(北京工业大学材料科学与工程学院,北京100022)摘要介绍了微电子工业的发展趋势和SiO作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了...
专利名称:一种单晶高k栅介质材料及其制备方法 技术领域:本发明涉及一种单晶高K栅介质材料及其制备方法,属于半导体技术领域。 背景技术:微电子工业的迅猛发展,使得作为集成电路核心器件的金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小,然而,当传统栅介质层 SiO2的厚度减小到2nm以下时,由于...
最有希望取代SiO2 栅介质的高k 材料主要有两大类: 氮化物和金属氧化物. 3.1 氮化物 氮化物主要包括Si3N4, SiON 等.Si3N4 介电常数比SiO2 高, 作栅介质时漏电流比SiO2 小几个数量级, Si3N4 和Si 的界面状态良好, 不存在过渡层.但Si3N4 具有难以克服的硬度和脆性, 在硅基片上的界面态密度为1.2×1012eV...
高K栅介质材料的研究进展高K栅介质材料的研究进展高K栅介质材料的研究进展摘要:对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性.此外,其制备加工技术最涂僵递晌...
介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性.此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容.本文阐述了选择高k栅介质材料的基本原则,介绍了典型高k栅介质材料性能,并展现了引入高k栅介质材料存在的...
二维半导体材料具有原子级厚度和独特的理化性质,是构成未来高性能、低功耗微型电子器件的重要候选之一。基于二维半导体材料的微型电子器件的发展,也对栅极介质提出了更高的要求,需要更高的栅极电容以提高器件性能并降低功耗。使用高介电常数(高κ)栅极电介质是常用的提高栅极电容的方法,并且有望避免由于电介质厚度的降低...