高k栅介质材料与器件集成合集 高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层上 “半导体技术”2008 年第一期 趋势与展望 1-高 k 材料用作纳米级 MOs 晶体管 栅介质薄层(上) 翁妍,汪辉 2DEG 特性的影响 李若凡,武一宾,马永强,等 59-表面处理与离子注人对 GaN HEMT 肖特基特性的影响 宋建博,杨瑞霞,张志国,等 62...