高K介质 (High-k Dielectric)和替代金属栅 (RMG)工艺 2007年,Intel公司宣布在 45nm CMOS 工艺节点上成功地使用高k氧化铪基(Hf-oxide Based)介质和金属栅工艺,可以显著减少栅介质泄漏电流和增加栅导电能力。 但高k氧化铪基栅介质较易被源漏退火步骤的热过程引起结晶化,导致较大的泄漏电流,因此高k介质金属栅模块...
一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件及其制备方法 热度: 高介电栅介质薄膜的原子层沉积技术制备、界面结构与电学性能研究 热度: 激光制备高介CaTiO3-CaTiSiO5高频介质陶瓷 Laser sintered high - frequency dielectric ceramics of CaTiO3 - CaTiSiO5 with high dielectric constant ...
硬声是电子发烧友旗下广受电子工程师喜爱的短视频平台,推荐 微纳加工技术-08.03 High-K介质和金属栅视频给您,在硬声你可以学习知识技能、随时展示自己的作品和产品、分享自己的经验或方案、与同行畅快交流,无论你是学生、工程师、原厂、方案商、代理商、终端商...上硬声
金属氧化物是常用的high-k栅介质材料,如氧化钛,氧化钽和氧化铪等.氧化铪(Hf O_2)由于有大的带隙,是一种具有应用前景的材料.通常,使用真空工艺制备Hf O_2薄膜会带来较高的生产成本,而溶液工艺由于操作简单,可以实现低成本,低温和大规模制备,克服了真空工艺的缺点.目前,很少有基于溶液工艺的Hf O_2薄膜制备的...
high-kgatedielectricszro2hfo高k栅介质zro2hfo 系统标签: hfogatedielectricseothighzro High-KGateDielectrics:ZrO 2 &HfO 2 AreTheyReliable? JackC.Lee MicroelectronicsResearchCenter TheUniversityofTexasatAustin 4 th AnnualTopicalResearchConferenceonReliability October30,2000 2 OUTLINE •WhyZrO 2 andHfO 2 ...
近年来,第三代半导体的代表材料GaN发展迅速,基于GaN材料的HEMT(highelectronmobilitytransistor)器件凭借其优异特性在电子电力,射频,微波等领域应用广泛.随着对HEMT器... 王雨晨 - 西安电子科技大学 被引量: 0发表: 2022年 高k栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究 高性能AlGaN/GaN HEMT器件在高温、微波大功率应用...
高k栅介质金属栅结构cmos器件的等效氧化层厚度控制技术 the technology of eot control in high k dielectric metal gate electrode cmos device.pdf,OS器 高k栅介质/金属栅结构CM 件的等效氧化层厚度控制技术 陈世杰,王文武,豢雪梅,陈大鹏,王晓磊,韩锴 (中国科学院
高k栅介质 1. Ultra-high vacuum electron evaporation is used to deposit high k gate dielectric ZrO 2 thin films on SOI substrate with ultrathin top silicon to be applied in SOI MOSFET depleted fully. 采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜...
本发明公开了一种高k栅介质界面优化方法. The present invention discloses a high-k gate dielectric interface optimization methods. 该方法包括:提供半导体衬底;去除半导体衬底表面自然氧化层;在半导体衬底上形成界面优化层;在界面优化层上形成界面反应层;在界面反应层上形成介质层;对半导体衬底进行热退火处理,使界面...
HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取 Extraction of Equivalent Oxide Thickness for HfO2 High k Gate Dielectrics.pdf,第卷第期半导体学报 27 5 Vol.27 No.5 年月 2006 5 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Ma 2006y Hf02 高 栅介质等效氧化层厚度的提取k % ! 1