IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1] 所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的...
[1] 所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具 备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。 两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K电介质材料应满足的要求::(1)高介电常数,≤50nmCMOS器件 要求k>20;(2)与Si有良好的热稳定性;(3)始终是非晶态...
HfO2是当前CMOS工艺中的重要High-k栅极氧化物材料。最近,通过掺杂、固溶、应变、退火工艺、界面调控等多种手段在室温下稳定了极性正交相,在HfO2中诱导出自发电极化,其铁电性推动了新一代非挥发信息存储器的发展;而反铁电特性可应用于电介质储能,发展易于CMOS集成的高性能薄膜电容器,用于便携式/植入式微电子能源器件和...
本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。 更多例句>> 5) High-k dielectrics 高k介质 例句>> 6) high-K gate dielectrics 高K栅介质 1. Preparation and characterization of ZrO_...
1.本发明涉及二极管技术领域,特别是一种利用high-k介质材料的氧化镓肖特基势垒二极管。 背景技术: 2.当前,改善氧化镓sbd中边缘电场集中效应的主流方法是使用场板结构技术。场板结构的制备工艺较为简单,对器件性能提升也较为有效。现阶段在场板中所使用的介质层材料为二氧化硅(sio2)。由于氧化镓的介电常数为10,临界击...
高介电常数栅介质材料 2) high-K 高介 1. The dissertation started with the analysis of the crystal structure of BaTiO_3, then studied the preparation ofhigh-KX7R,high-KX8R and intermediate temperature sinteringhigh-KX8R dielectric ceramic system by modern methods such as XRD, SEM, EDS etc....
此外,单壁碳纳米管场效应晶体管(FET)架构与high-k电介质(26,49)兼容。 翻译结果2复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 此外, SWNTs 与现场效果的晶体管兼容 (FET) 建筑和 high-k 绝缘材料 (26, 49)。 翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 此外,电弧符合场效应晶体管 (FET) 的体系结构和高 k 电介质 ...
采用激光分子束外延设备在不同温度下制备了不同厚度的超薄晶态,非晶态高介电Er2O3栅介质薄膜,用X射线衍射和高分辨透射电镜分析了薄膜结构,用HP4142B半导体参数分析仪测试了Al/Er2O3/Si/Al结构MOS电容器的漏电流.XRD谱和HRTEM图像显示400℃以下制备的Er2O3薄膜呈非晶态,400℃到840℃制备的Er2O3薄膜是(111)...
一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1] 所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。两者都是高性...
IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1] 所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的...