High-k 电介质高介电常数(k,一个衡量材料可具有多少电荷的参数)的材料,与半导体绝缘层中使用的二氧化硅材料相比。因为high-k 栅极绝缘层比二氧化硅具有更高的透电率,因此它们也被叫做高透电层。当其厚度可与二氧化硅薄膜相比时,高介电常数 High-k 材料可...
所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K电介质材料应满足的要求::(1)高介电常数,≤50 nm CMOS器件要求k >20;(2)与Si有良好的热稳定性;(3)始终是非晶态,以减...
High-K和Low-K电介质材料不同电介质的介电常数k相差很大,真空的k值为1,在所有材料中最低;空气的k值为1.0006;橡胶的k值为2.53.5;纯净水的k值为81。工程上根据k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常数k3.9时,判定为high-k;而k3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规...
High K材料介绍 高介电常数材料或称high-K材料,k即介电常数,衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电(low-K)材料和高介电(high-K)材料。在半导体制造过程中,一般来说low-k材料介电常数低于3.0;而high-K材料则是相对于栅介质材料SiO2来定义,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-K...
High-K 和 Low-K 电介质材料 不同电介质的介电常数 k 相差很大,真空的 k 值为 1,在所有材料中最低; 空气的 k 值为 1.0006;橡胶的 k 值为 2.5～3.5;纯净水的 k 值为 81。工程上根 据 k 值的不同,把电介质分为高 k(high-k)电介质和低 k(low-k)电介质两类。介电常数 k >3.9 时,判定为...
High-k材料,即高介电常数材料,是现代半导体工业中不可或缺的一部分。它们的主要作用是替代传统的二氧化硅(SiO₂)作为栅极介质,以提高集成电路的性能和可靠性。随着芯片尺寸的不断缩小,传统的SiO₂已无法满足日益增长的电容需求,因此High-k材料应运而生。以下是几种常见的High-k材料: 氧化铪(HfO₂):氧化铪因...
半导体highk介质是一种高介电常数的材料,用于替代传统的二氧化硅(SiO2)作为电子绝缘层材料。传统的SiO2材料在绝缘层中起到了隔离电子的作用,但随着器件尺寸的不断缩小,SiO2材料的绝缘性能逐渐变差。这是因为当绝缘层的厚度减小到纳米级别时,SiO2材料会出现隧穿效应,导致电子泄漏,从而影响器件的性能。 半导体highk介质...
[1] 所谓 High-K 电介质材料, 是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。 它具备良好的绝缘属性, 同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应 (即高-K) 。两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K 电介质材料应满足的要求: : (1) 高介电常数,≤50 nm CMOS 器件要求 k >20; (2)与 Si 有良好的热...
k指的是介电常数,衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电(low-k)材料和高介电(high-k)材料。一般low-k材料介电常数低于3.0;high-k材料是相对于SiO2而言,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-k材料。 为什么要采用high-k材料? 随着工艺尺寸的减小,栅极介质厚度不断减薄,电子直接隧...