介电常数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1] 所谓High-K电介质...
1、High-K和Low-K电介质材料不同电介质的介电常数k相差很大,真空的k值为1,在所有材料中最低;空气的k值为1.0006;橡胶的k值为2.53.5;纯净水的k值为81。工程上根据k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常数k3.9时,判定为high-k;而k3.9时则为low-k。IBM将low-k...
工程上根据k 值的不同, 把电介质分为高 k(high-k)电介质和低 k(low-k)电介质两类。 介电常数 k >3.9 时, 判定为 high-k; 而 k≤3.9 时则为 low-k。 IBM 将 low-k 标准规定为 k≤2.8, 目前业界大多以 2.8 作为 low-k 电介质的 k 值上限。 一、 High-K 电介质材料 随着集成电路的飞速发...
High-K 和 Low-K 电介质材料 不同电介质的介电常数 k 相差很大,真空的 k 值为 1,在所有材料中最低; 空气的 k 值为 1.0006;橡胶的 k 值为 2.5～3.5;纯净水的 k 值为 81。工程上根 据 k 值的不同,把电介质分为高 khigh-k电介质和低 klow-k电介质两类。介电常数 k >3.9
High-K 和 Low-K 电介质材料不同电介质的介电常数 k 相差很大,真空的 k 值为 1,在所有材料中最低; 空气的 k 值为 1.0006;橡胶的 k 值为 2.5～3.5;纯净水的 k 值为 81。工程上根 据 k 值的不同,把电介质分为高 k(high-k)电介质和低 k(low-k)电介质两类。介电常数 k >3.9 时,判定为 ...
k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常 数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定 为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO ...
[精品]High-K和Low-K电介质材料.docHigh-K和Low-K电介质材料 不同电介质的介电常数k相斧很大,真空的k值为1,在所有材料中最低; ;〜;纯净水的k值为81。工程上根据 k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常 数k >,判定为high-k;而k<-k。IBM将low-k标准规定...
2、认为Low k与High k是相互矛盾的技术,且半导体业者都纷纷标榜Low k、High k等新制程技术能为芯片电路带来新的提升效益,因此迷惑也就加深,所以以下本文将对此进行更多讨论。一、LOW-K在集成电路内部,由于ILD(Inter Layer Dielectrics,层间电介质)的存在,导线之间就不可避免地存在分布电容,或者称之为寄生电容。分...
进入90nm工艺后,low-k电介质的开发和应用是芯片厂商面临的难题。 由于low-k材料的抗热性、化学性、机械延展性以及材料稳定性等问题都还没有得到完全解决,给芯片的制造和质量控制带来很多困难。采用low-k材料后,多家芯片大厂的产品都出现过不同程度的问题。 与SiO2相比,low-k材料密度较低,这样带来两个问题,一是...