在半导体制造过程中,一般来说low-k材料介电常数低于3.0;而high-K材料则是相对于栅介质材料SiO2来定义,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-K材料。 Mos管 High-K材料的应用 由于先进制程尺寸日益减小,使得在面积不变下可以放入更多的晶体管,以提高集成度,而器件尺寸的等比例缩小同时体现在水平方向...
针对这一问题,一篇high-k钙钛矿栅介质用于2D FETs的研究工作实现了新的突破,并于2022年5月11日登上了Nature。 1、SrTiO3介质薄膜制备及介电性能 钛酸锶(SrTiO3)是一种钙钛矿结构、具有超高介电常数(可达300)的材料。要将SrTiO3作为栅介质来制备高性能2D FETs,获得单晶、原子级平整度、低表面缺陷的独立式薄膜(fr...
但高k氧化铪基栅介质较易被源漏退火步骤的热过程引起结晶化,导致较大的泄漏电流,因此高k介质金属栅模块工艺需要在源漏之后再形成,这被称为后栅(Gate Last)工艺或替代金属栅 ( Replacement Metal Gate, RMG)工艺,如图所示。 因此,高k介质(如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金属栅(如TiN、TiAl、Al 或W等)模块便成...
MOS晶体管需要有较高的栅电容以把电荷吸引至沟道中。这使SiO2栅介质必须非常薄(例如在65 nm工艺中为10.5-12A, 只有4个原子层厚)。当小于这样的厚度时,栅泄漏将增加到不可接受的程度,使传统的按比例尺寸缩小不再能继续下去。我们知道简单的SiO2的介电常数k =3.9。根据等式COX = EOX / TOX,如果能找到具有较大...
MOS晶体管要求高栅电容以吸引电荷至沟道，这要求栅介质非常薄，如65nm工艺中的SiO2仅4个原子层厚。厚度小于此值会导致泄漏增加，无法按比例缩小。为解决此问题，人们引入氮形成氮氧化物栅介质，称为SiON，提供较高的介电常数k值。高K介质自2007年起进入商品制造，Intel 45nm工艺采用铪材料，其k值达20，...
此外，我们要知道High-K栅电介质技术，相比以往的氮氧化合物/多晶硅栅堆叠技术成本会有所增加，而Intel...
High-k 电介质高介电常数(k,一个衡量材料可具有多少电荷的参数)的材料,与半导体绝缘层中使用的二氧化硅材料相比。因为high-k 栅极绝缘层比二氧化硅具有更高的透电率,因此它们也被叫做高透电层。当其厚度可与二氧化硅薄膜相比时,高介电常数 High-k 材料可...
介电常数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1] 所谓High-K电介质...
一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件及其制备方法 热度: 高介电栅介质薄膜的原子层沉积技术制备、界面结构与电学性能研究 热度: 激光制备高介CaTiO3-CaTiSiO5高频介质陶瓷 Laser sintered high - frequency dielectric ceramics of CaTiO3 - CaTiSiO5 with high dielectric constant ...