如上表,45nm 及以下节点,采用HKMG(High-k Metal Gate)工艺,使用高k材料做栅介质层;45nm以上的节点,主要使用氧化硅做栅介质层。什么是栅介质层?如上图,图中位于上方的灰色区域表示栅极(gate),通过施加电压在栅极,控制源极和漏极之间的电流沟道形成与否。栅极下面的...
thihK 是高K 材料栅介质厚度,是等效SiO 厚度,Kh 是高K 材料相对介电常数,l(0 是SiOz 相对介电常数.从该表 达式町看出,使用较厚的K 值大于3.9 的高介电材料可以起到 较薄Sj 栅同等的作用,由于物理厚度大而消除了由隧穿引起 的较大漏电流.采用高介电常数的材料避免了增人面积和减小 厚度所带来的一...
HfO2是高K栅介质材料的研究热点之一,目前各种针对HfO2介质的研究和实验表明,HfO2具有漏电流低,热稳定性好,制备工艺相对简单等优点。为了使HfO2介质层的电学特性满足器件性能的需要,HfO2栅介质层的优化还要在降低界面态密度,避免HfO2与体硅中间过渡层的形成等方面进行探索和研究。极薄HfO2,介质层需要解决的首要问题是如何...
高K栅介质材料的研究进展 高K栅介质材料的研究进展 摘要:对于纳米线宽的集成电路, 需要高介电常数( 高k) 的栅极介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能. 这些栅极候选材料必须有较高的介电常数, 合适的禁带宽度, 与硅衬底间有良好界面和高热稳定性. 此外, 其制备加工技术最好能与现行的硅...
高K栅介质材料的研究进展 摘要:对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性.此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容.本文阐述了选择高k栅...
高k栅介质AlGaN_GaN MOS-HEMT器件特性研究 热度: 高K栅介质材料的研究进展高K栅介质材料的研究进展高K栅介质材料的研究进展摘要:对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能.这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好...
《La基稀土高介电系数(k)栅介质材料的同步辐射研究》是依托中国科学技术大学，由戚泽明担任项目负责人的面上项目。中文摘要 MOS 晶体管进入纳米尺度后，传统的SiO2 栅介质材料由于大的漏电流越来越不能适应器件继续小型化的要求，必须采用新的高k 材料来代替SiO2，已有的候选材料在性能上的差距，导致探寻新高k 材料...
高k材料成为代替Sio2作为栅介质薄层材料的不错选择，但是大多数高k材料是离子金属氧化物，其基本物理和材料特性导致产生很多不可靠因素。从高k材料的基本物理和材料特性角度，回顾了高K材料代替SiO2用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层时产生的主要不可靠因素及根本原因。寻找能够代替sio2成为栅介质薄层的材料是进一步缩小器件...
随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统SiO2栅介质减薄到1nm以下时会导致栅极漏电流增大,器件可靠性下降等诸多问题,已无法满足CMOS技术长远发展要求.因此,寻求替代SiO2的新型栅介质材料,减少器件的隧穿电流,提升可靠性成为CMOS技术的发展方向.如何制备化学性质稳定,性能优异的栅介质薄膜成为高k栅介质材料亟待解决的问题.论...