氟化钙—用于二维电子器件的超薄高k电介质材料 机械剥离的二维(2D)六方氮化硼(h-BN)是目前纳米电子器件中首选的介电材料,可与石墨烯和二维过渡金属硫化物等二维材料形成平整的范德华界面。然而,由于六方氮化硼具有较低的介电常数(≈3.9),在以六方氮化硼为电介质的超大规模器件中会出现高漏电流和过早的介电击穿...
氟化钙—用于二维电子器件的超薄高k电介质材料 机械剥离的二维(2D)六方氮化硼(h-BN)是目前纳米电子器件中首选的介电材料,可与石墨烯和二维过渡金属硫化物等二维材料形成平整的范德华界面。然而,由于六方氮化硼具有较低的介电常数(≈3.9),在以六方氮化硼为电介质的超大规模器件中会出现高漏电流和过早的介电击穿...
二维半导体材料具有原子级厚度和独特的理化性质,是构成未来高性能、低功耗微型电子器件的重要候选之一。基于二维半导体材料的微型电子器件的发展,也对栅极介质提出了更高的要求,需要更高的栅极电容以提高器件性能并降低功耗。使用高介电常数(高κ)栅极电介质是常用的提高栅极电容的方法,并且有望避免由于电介质厚度的降低...
其介电击穿强度高达12MV/cm,且保持了HfO2的High-k相对介电常数(>18 @106Hz),这些物性特征突破了介电材料中普遍存在的εr-Eb的负相关限制。非晶A-Hf-O电容器表现出高达155J/cm3的可回收能量密度,这是当前以HfO2为代表的二元High-k材料中的最高纪录。 该工作一方面为高能电介质电容器,特别是CMOS集成元件的设...
基于高k电介质材料的薄膜电容的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,基于高k电介质材料的薄膜电容的制备方法说明:本发明公开了一种基于高k电介质材料的薄膜电容的制备方法。包括以下步骤:采用蒸发镀膜制备薄膜电容...专利查询请上爱企查
高K栅极电介质材料与Si纳米晶体管(续)维普资讯 http://www.cqvip.com
具有低电压运行的高性能有机场效应晶体管(OFETs)是下一代电子器件和数字集成电路的重要组成部分。在OFETs中,除有机半导体材料和电极外,栅极介电层的调控对于提高器件性能也至关重要。为了实现这一点,低压驱动OFETs必须具有高介电常数(k)以增加容值,进而产生足够的场效应电荷,同时具有与有机半导体层间良好稳定的界面...
金属栅的作用 | 随着铪基高k材料的引入,行业发现高k介质与多晶硅栅极的兼容性一直是影响高k材料使用的一个障碍。因为栅极的一个关键特性是它的功函数,即自由载流子逃逸所需要的能量。功函数决定器件的阈值电压Vt。传统的栅介电材料 SiO2或SiON采用多晶硅为栅极,功函数取决于多晶硅的掺杂浓度。半导体制造商可以根据设计...
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HfO2是当前CMOS工艺中的重要High-k栅极氧化物材料。最近,通过掺杂、固溶、应变、退火工艺、界面调控等多种手段在室温下稳定了极性正交相,在HfO2中诱导出自发电极化,其铁电性推动了新一代非挥发信息存储器的发展;而反铁电特性可应用于电介质储能,发展易于CMOS集成的高性能薄膜电容器,用于便携式/植入式微电子能源器件和...