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[模拟电路] 1 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的物理基础 n型MOSFET是一种四端器件,p型硅衬底上有两n区构成源和漏,金属或重掺杂多晶硅作为栅,与衬底间由二氧化硅薄膜(栅氧)隔开。栅氧下源和漏间的表面区域称为沟道。 1.1 载流子浓度 根据量子力学,单位体积中电子在能量E和E+dE间的态密度满足 N(E)...
金属-氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等 ...
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当栅极电压超过VT时,栅极下的表面区域变为反型,形成一个含有移动电子的通道,这些电子可以在源极和漏极之间的通道中传导电流。增加栅极偏置会大幅增加通道电子的密度并降低源漏电阻,使MOSFET进入导通状态。因此,阈值电压VT被方便地认为是MOSFET作为开关从关闭状态变为导通状态的转换电压。
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这款 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的独特之处在于其对栅极电压（Vgs）的精确控制能力。通过巧妙地调节栅极电压，SL2P10A 能够高效而精准地调节漏极至源极之间的电流（Id），使其在需要精细电流控制的场合中大显身手。无论是复杂的电路系统，还是对电流精度要求极高的应用场景，SL2P10A 都能轻松...
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种极为重要的半导体器件,它在现代电子学中扮演着关键角色。MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,并且自1960年代以来一直在推动电子半导体技术的发展。