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1.2 金属-氧化物-半导体(MOS)系统的能带 为p型MOS系统的栅加负压,半导体表面的能带向上弯,表面的价带相比体的价带更接近Fermi能级,多数载流子增多,这种情形称为积累;为栅加正压,半导体表面的能带向下弯,表面的价带相比体的价带更远离Fermi能级,多数载流子减少;表面的导带相比体的导带更接近Fermi能级,电压较低时,表面...
MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常见的半导体器件。图1展示了NMOS和PMOS的符号图，而图2则详细描绘了NMOS的结构，其中包括栅极、硅衬底以及它们之间薄薄的二氧化硅层。在NMOS中，P型衬底上进行了N型掺杂物的重掺杂，以形成源极和漏极（因此被标记为n+）。这两极是对称的，通常，接地的一侧被称为...
场效应晶体管（FieldEffectTransistor,缩写为FET）是一种电压控制器件，其导电过程主要涉及一种载流子，也称为“单极”晶体管 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET）金属－半导体场效应晶体管（MESFET）MOS场效应晶体管（MOSFET）化合物半导体器件 场效应晶体管的分类 化合物半导体器件 5.1金属半导体肖特基接触 5.1.1...
晶体管类型 LDMOS 频率 860MHz 增益 22dB 电压- 测试 50 V 电流- 测试 350 mA 功率- 输出 18W 电压- 额定 110 V 封装/外壳 TO-270AB 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 型号 MRF6V3090NR1 PDF资料 电子管-场效应管-MRF6V3090NR1-FREESCALE/飞思卡尔-ԭ...
当栅极电压超过VT时,栅极下的表面区域变为反型,形成一个含有移动电子的通道,这些电子可以在源极和漏极之间的通道中传导电流。增加栅极偏置会大幅增加通道电子的密度并降低源漏电阻,使MOSFET进入导通状态。因此,阈值电压VT被方便地认为是MOSFET作为开关从关闭状态变为导通状态的转换电压。
金属-氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等 ...
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