产品说明 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) 包装 托盘 可售卖地 全国 用途 军工 类型 通信IC 型号 BLF177 货号 BLF177 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的...
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金属-氧化物-半导体场效应晶体管 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）是2019年发布的物理学名词。公布时间 2019年经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《物理学名词》第三版。
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金属-氧化物-半导体场效应晶体管 1.什么是MOSFET? 大家好,今天咱们来聊聊一个看起来非常高深,但其实一点也不难懂的电子器件——MOSFET,全名是“金属氧化物半导体场效应晶体管”。别被这长长的名字吓到,其实它就是电子世界里的一位超级明星。想象一下,你家里的电视、手机、电脑,甚至是你那台小巧的计算器,里边都...
又称绝缘栅场效应管,简称MOS场效应管(或简写为MOSFET管)。是利用半导体的表面场效应现象制成的器件。按其工作状态可以分为增强型与耗尽型两类,每类又有N沟道和P沟道之分。现以N沟道增强型绝缘栅场效应管为例说明其原理。如图 3所示,在P型半导体上有两个重掺杂的N 区,其上有两个欧姆接触电极,分 ■图3N沟...
金属氧化物半导体场效应晶体管 氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)是一种三极晶体管,是目前主流半导体器件。氧化物半导体场效应晶体管由负源(Source)、正源(Drain)、网络(Gate)3个极。氧化物半导体场效应晶体管的网络电压控制的是从源到排的电流的大小。因此,它又...
n型MOSFET是一种四端器件,p型硅衬底上有两n区构成源和漏,金属或重掺杂多晶硅作为栅,与衬底间由二氧化硅薄膜(栅氧)隔开。栅氧下源和漏间的表面区域称为沟道。 1.1 载流子浓度 根据量子力学,单位体积中电子在能量E和E+dE间的态密度满足 N(E)dE=2gdpxdpydpzh3 ...