功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口(5)构成,雪崩耐能单元下面复合有衬底,边界区域由隔离层(1-1)与氧化扩散层(22)之间设置的复合半导体材料层(2)组成,氧化扩散层外端下面...
DrMOS(Driver and MOSFET)是一种集成了驱动器和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的功率模块,主要用于电源管理和功率转换领域。它通过将驱动器和MOSFET集成到单个芯片中,显著简化了电路设计,提高了功率转换效率和热管理能力。 1. DrMOS的定义与特点 - 定义:DrMOS是一种高度集成的功率模块,将驱动器和MOSFET结合...
本发明公开了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管,包括包括漏极金属层、锗硅异质结结构、传导区域、体区域、重掺杂接触区域、氧化层(8)、重掺杂栅极多晶硅层、源极金属层;本发明改善了器件的反向回复特性,相较于现有的功率金属氧化物半导体场效应晶体管,本发明的反向恢复时间更小、反向恢复时间更短、反向恢复电荷更...
本文讨论了所提出的600伏、10安、4H-碳化硅横向单个RESURF金属氧化物半导体场效应晶体管的器件设计、制造和电学特性。 正文 如今,硅集成电路(IC)技术将中低功率系统的转换和控制功能与最大75至100伏的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)相结合。绝缘体上硅(SOI)技术提供高达600伏的更高电压,但1至2安...
本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管,该晶体管包括外延层,体区,栅电极和氧化层,外延层是预先生长的,并在外延层的顶面设有沟槽.体区位于沟槽之间,并向外延层的底面方向延伸至预定位置.栅电极位于沟槽内,且平行于体区的延伸方向,栅电极包括两个第一栅电极和位于第一栅电极之间的中央栅电极,第一栅...
专利摘要:本发明提供了一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路,包括主功率单元以及辅助稳定单元,所述主功率单元为第一MOSFETQ1,所述辅助稳定单元为第二MOSFETQ2;在较高的漏源电压电流变化率条件下,保持MOSFET栅源电压稳定性,让MOSFET获得鲁棒免疫高开关速度干扰的特性。采用该功率半导体器件的电力电子变...
摘要:本发明公开一种内置肖特基接触超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管,包括源极金属层(1)、重掺杂第一导电类型虚拟栅多晶硅层(2)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(3)、氧化层(4)、第二导电类型阳极区域(5)、第二导电类型栅极体区域(6)、重掺杂第一导电类型栅极接触区域(7)、第一导电类型传导区域...
一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法 本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管,该晶体管包括外延层,体区,栅电极和氧化层,外延层是预先生长的,并在外延层的顶面设有沟槽.体区位于沟槽之间,并向外延层的底面方向延伸至预定位置.栅电极位于沟槽内,且平行于体区的延伸方向,栅电极包括两个......
高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作.针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应,建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型.器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化,包括阈值电压正向漂移,饱和电流减小...
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点,广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展,越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等,迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的功率循...