金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效晶体管；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，缩写：MOSFET），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效...
金属氧化物半导体场效应管(英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其"沟道"极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET...
又称绝缘栅场效应管,简称MOS场效应管(或简写为MOSFET管)。是利用半导体的表面场效应现象制成的器件。按其工作状态可以分为增强型与耗尽型两类,每类又有N沟道和P沟道之分。现以N沟道增强型绝缘栅场效应管为例说明其原理。如图 3所示,在P型半导体上有两个重掺杂的N 区,其上有两个欧姆接触电极,分 ■图3N沟...
产品说明 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) 包装 托盘 可售卖地 全国 用途 军工 类型 通信IC 型号 BLF177 货号 BLF177 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的...
n型MOSFET是一种四端器件,p型硅衬底上有两n区构成源和漏,金属或重掺杂多晶硅作为栅,与衬底间由二氧化硅薄膜(栅氧)隔开。栅氧下源和漏间的表面区域称为沟道。 1.1 载流子浓度 根据量子力学,单位体积中电子在能量E和E+dE间的态密度满足 N(E)dE=2gdpxdpydpzh3 ...
2.1金属氧化物半导体的组合 MOSFET的名字里其实包含了三部分:金属(Metal)、氧化物(Oxide)和半导体(Semiconductor)。在这里,“金属”指的是用来制造电极的材料,一般是铝或者多晶硅;“氧化物”则是隔离层,通常是二氧化硅;而“半导体”就是那主角了,它负责传导电流的部分,通常是硅。 2.2如何工作 MOSFET的工作原理其实有...
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金属(jīnshǔ)-氧化物-半导体场效应管 Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor •1.基本知识概述•2.分类、命名、标识、结构•3.基本特性(tèxìng)•4.应用•5.制程及工艺•6.常见失效模式及案例分析•7.Derating标准及其测试方法 共六十二页 1.1MOSFET的基本知识 1.1.1概述 场效应管是一种...
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