金属氧化物半导体场效应晶体管表面势阈值电压提出了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件结构,为该器件结构建立了全耗尽条件下的表面势模型,表面场强和阈值电压解析模型,并分析了应变对表面势,表面场强和阈值电压的影响,讨论了三栅长度比率对阈值电压和漏致势垒降低效应的影响,对该结构器件与单材料双栅...
摘要 本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管,其包括第一补偿区和第二补偿区,所述第一补偿区设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区与栅极区之间,所述第二补偿区设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区与栅极区之间,第一补偿区和第二补偿区与栅极区的导电类型相同,并且...
摘要 本实用新型公开了一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件,包括:硅体;p型硅体,位于硅体内,且上表面与硅体的上表面齐平;栅极设置于所述二氧化硅层上,且位于p型硅体的上方;源极、漏极分别设置于栅极的两侧,位于p型硅体内且与p型硅体的表面齐平;p型重掺杂区,设置于硅体内,围绕金属...
摘要 本发明公开了属于微电子器件制造技术范围的一种沟道有热、电通道的绝缘层上硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管制造工艺。这种工艺和体硅及绝缘体上硅工艺完全兼容,只需在互补金属-氧化物-半导体工艺基础上增加一块注氧的掩膜版和在硅片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用注氧掩膜版光刻注氧掩蔽层、氧离子注入...
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本发明涉及一种悬空硅层(Silicon-On-Nothing)(SON)的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其制造方法,更特别地,涉及这样一种SON MOSFET及其制造方法,其中在硅基板内形成有气泡,进而同时改进晶块结构和绝缘体上硅(SOI)结构的缺陷。 背景技术: 为了降低半导体器件的价格并增强其性能,已经按照Moore法则集成半导体器件...
本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管,其包括第一补偿区和第二补偿区,所述第一补偿区设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区与栅极区之间,所述第二补偿区设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区与栅极区之间,第一补偿区和第二补偿区与栅极区的导电类型相同,并且,所述...