刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。过程 普通的刻蚀过程大致如下：先在表面涂敷...
负载效应是由刻蚀系统特点决定的,普遍存在于所有的反应离子刻蚀中,为了缓解该效应对刻蚀结果的影响,一方面需要更高密度、分布更均匀的等离子体,另一方面,可以在反应气体中加入辅助气体以稀释和均匀等离子体、提升真空系统性能以加快等离子体的交换和刻蚀产物抽除、以及在设计光刻板时注意平衡图形密集程度等。 (2)微沟槽效...
刻蚀气体在等离子体中分解电离,形成离子和自由基等刻蚀类物质,称为Enchant → Enchant到达晶圆表面的过程(压力低时能刻蚀出深度形状,但如果压力过低,放电就不顺利,会出现等离子体难以产生的问题) → 到达晶片表面的Enchant与被刻蚀物发生反应 → 反应副产物从晶圆脱离(反应副产物需迅速脱离并排气,否则反应副产物会附着...
刻蚀关键工艺：大马士革&极高深宽比。新电子材料的集成和加工器件尺寸的不断缩小为刻蚀设备带来了新的技术挑战，同时对性能的要求（刻蚀 均匀性、稳定性和可靠性）越来越高。分别从逻辑器件和存储器件的技术演进路线看刻蚀工艺应用：在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中，一体化大马士革刻蚀工艺，需要一次完成通孔和沟槽...
湿法刻蚀工艺是一个纯粹的化学反应过程，它是利用化学试剂，与被刻蚀材料发生化学反应生产可溶性物质或挥发性物质。其优点是选择性高、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。缺点是缺乏各向异性、工艺控制能力差、过度的颗粒污染。图1示意了典型的湿法工艺过程。晶圆通常放置在湿法槽中，通过控制溶液的配比、温度和...
刻蚀是半导体器件制造中选择性地移除沉积层特定部分的工艺。在半导体器件的整个制造过程中，刻蚀步骤多达上百个，是半导体制造中最常用的工艺之一。根据Gartner统计，2022年全球刻蚀设备占晶圆制造设备价值量约22%，约230亿美元市场规模。#半导体# 半导体刻蚀行业概览 随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小...
多晶硅 刻蚀通常采用电感耦合等离子体刻蚀的刻蚀机。 1.3.4. 金属刻蚀 金属刻蚀主要是互连线及多层金属布线的刻蚀,刻蚀的要求是:高刻蚀速率(大于 1000nm/min);高选择比,对掩盖层大于 4:1,对层间介质大于 20:1;高的刻蚀 均匀性;关键尺寸控制好;无等离子体损伤;残留污染物少;不会腐蚀金属等。 金属刻蚀通常...
原子层刻蚀ALE 是一种利用连续自限反应去除材料薄层的技术，被认为是实现原子级时代所需的低工艺变异性的最有前途的技术之一。ALE可以选择性地去除超薄材料或仅原子，而不损坏其周围的结构。ALE 是单层蚀刻：它能够从基材上逐层受控地去除材料，蚀刻厚度约为单层的数量级。 ALE 基本步骤是是先形成反应层的改性，...
刻蚀是半导体芯片制造过程中最关键的步骤之一：资料来源：超科林半导体 行行查数据显示，刻蚀机产业链上游为四大组成部分，包括预真空室、刻蚀腔体、供气系统及真空系统；中游为刻蚀机的制造，分为湿法刻蚀及干法刻蚀两种；下游应用包括半导体器件、太阳能电池及其他微机械制造等。在刻蚀工艺中，最核心的设备就是刻蚀机。...