刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。过程 普通的刻蚀过程大致如下：先在表面涂敷...
负载效应是由刻蚀系统特点决定的,普遍存在于所有的反应离子刻蚀中,为了缓解该效应对刻蚀结果的影响,一方面需要更高密度、分布更均匀的等离子体,另一方面,可以在反应气体中加入辅助气体以稀释和均匀等离子体、提升真空系统性能以加快等离子体的交换和刻蚀产物抽除、以及在设计光刻板时注意平衡图形密集程度等。 (2)微沟槽效...
1 刻蚀是什么 刻蚀简单点理解就是光刻腐蚀,是和光刻相关的图形化处理工艺,结合化学、物理、化学物理等方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料,这些材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶等。刻蚀也就是把光刻胶等材料当作掩蔽层,采用物理/化学等方法去掉下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方,进一步获取到下...
反应离子刻蚀(RIE)作为制作半导体集成电路的一种重要刻蚀工艺,具有一系列的优点和缺点。 1、优点 (1)良好的形貌控制能力:反应离子刻蚀可以实现各向异性刻蚀,这对于获得精细和复杂的图形结构非常有利。 (2)较高的选择比:与某些其他刻蚀技术相比,反应离子刻蚀能够更有效地区分并去除特定的材料层,从而实现对不同材料的...
湿法刻蚀工艺是一个纯粹的化学反应过程，它是利用化学试剂，与被刻蚀材料发生化学反应生产可溶性物质或挥发性物质。其优点是选择性高、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。缺点是缺乏各向异性、工艺控制能力差、过度的颗粒污染。图1示意了典型的湿法工艺过程。晶圆通常放置在湿法槽中，通过控制溶液的配比、温度和...
干法刻蚀(Dry Etching):在干法刻蚀中,使用等离子体产生的活性离子和自由基与材料发生反应,生成挥发性产物,常用于精确的图案转移。 湿法刻蚀(Wet Etching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这种方法适用于大面积材料的均匀去除。
光刻工艺:从刻蚀到最终检查↓↓↓ 八、刻蚀 在完成显影检验步骤后,掩模版的图形就被固定在光刻胶膜上并准备刻蚀。在刻蚀后图形就会被永久地转移到晶圆的表层。刻蚀就是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺刻蚀工艺主要有两大类:湿法和干法刻蚀。两种方法的主要目标是将光刻掩模版上的图形精确地转移到晶圆的表...
半导体八大工艺之刻蚀工艺:干法刻蚀 在干法蚀刻中,气体受高频(主要为 13.56 MHz 或 2.45 GHz)激发。在 1 到 100 Pa 的压力下,其平均自由程为几毫米到几厘米。 主要有三种类型的干法蚀刻: • 物理干法蚀刻:加速粒子对晶圆表面的物理磨损 • 化学干法蚀刻:气体与晶圆表面发生化学反应...
芯片制造有三大核心环节:薄膜沉积、光刻与刻蚀。其中,光刻环节成本最高,其次便是刻蚀环节。光刻是将电路图画在晶圆之上,刻蚀则是沿着这一图案进行雕刻。这一过程中,会用到的设备便是刻蚀机。 2021-01-18 11:34:22 芯片制造的6个关键步骤 尽管芯片已经可以被如此大规模地生产出来,生产芯片却并非易事。制造芯片...