刻蚀气体在等离子体中分解电离,形成离子和自由基等刻蚀类物质,称为Enchant → Enchant到达晶圆表面的过程(压力低时能刻蚀出深度形状,但如果压力过低,放电就不顺利,会出现等离子体难以产生的问题) → 到达晶片表面的Enchant与被刻蚀物发生反应 → 反应副产物从晶圆脱离(反应副产物需迅速脱离并排气,否则反应副产物会附着...
在图形转移或者复制的精度依靠几个工艺参数:不完全刻蚀、过刻蚀(overetch)、钻蚀、选择比和侧边的各项异性/各项同性刻蚀。 不完全刻蚀:原因可能是第一刻蚀时间过短,第二需要刻蚀的薄膜厚度不均匀等。 过刻蚀:在任何的刻蚀工艺中,总会有一定程度的、计划的过刻蚀,以便允许表层厚度变化,再或者是为了下一步工艺的要求...
负载效应是由刻蚀系统特点决定的,普遍存在于所有的反应离子刻蚀中,为了缓解该效应对刻蚀结果的影响,一方面需要更高密度、分布更均匀的等离子体,另一方面,可以在反应气体中加入辅助气体以稀释和均匀等离子体、提升真空系统性能以加快等离子体的交换和刻蚀产物抽除、以及在设计光刻板时注意平衡图形密集程度等。 (2)微沟槽效...
1 刻蚀是什么 刻蚀简单点理解就是光刻腐蚀,是和光刻相关的图形化处理工艺,结合化学、物理、化学物理等方法有选择的去除(光刻胶)开口下方的材料,这些材料包括硅、介质材料、金属材料、光刻胶等。刻蚀也就是把光刻胶等材料当作掩蔽层,采用物理/化学等方法去掉下层材料中没有被上层遮蔽层材料遮蔽的地方,进一步获取到下...
图1 微纳加工刻蚀工艺图 1 什么是刻蚀 刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形， 它在整个半导体工艺中是至关重要的一个步骤。随着微制造工艺的发展， 也衍生出了许多刻蚀方式，为微纳加工开辟了...
等离子体刻蚀可用于刻蚀SiO2,Si3N4,多晶硅等,但是,通常氧化硅用湿法腐蚀快,而氮化硅也可以采用二氧化硅腐蚀液,但是腐蚀速度慢,因此氮化硅刻蚀用干法刻蚀,所用的设备有901E/903E TEGAL plasma etching system型等离子刻蚀设备,用的的刻蚀气体有:CF4、O2、N2、SF6、CHF3、NF3、He、C2F6等。
1.1、沉积和刻蚀技术的发展趋势 图1. 沉积和刻蚀技术发展趋势 在晶圆上形成“层(Layer)”的过程称为沉积(化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和物理气相沉积(PVD)),在所形成的“层“上绘制电路图案的过程称为曝光。刻蚀是沉积和曝光工艺之后在晶圆上根据图案刻化的过程。光刻工艺的作用类似于画一张草图,真正使...
湿法刻蚀工艺是一个纯粹的化学反应过程，它是利用化学试剂，与被刻蚀材料发生化学反应生产可溶性物质或挥发性物质。其优点是选择性高、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。缺点是缺乏各向异性、工艺控制能力差、过度的颗粒污染。图1示意了典型的湿法工艺过程。晶圆通常放置在湿法槽中，通过控制溶液的配比、温度和...
刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。过程 普通的刻蚀过程大致如下：先在表面涂敷...