是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的...
1、刻蚀偏差 使用化学刻蚀的湿法刻蚀是各向同性刻蚀,在实际刻蚀中光刻胶下面会有刻蚀液的渗入,会造成相当大的刻蚀偏差,为侧向刻蚀。 2、刻蚀材料 刻蚀材料 3、刻蚀形状 刻蚀形状 二、刻蚀工艺中的等离子体 1、生成机理 在真空中导入气体,设置放电所需的气体压力,对电极施加射频,使其放电,产生的电子与气体分子相碰...
如上图一(制造过程中晶圆的某个部位的剖面示意图),通过刻蚀工艺,把光刻胶覆盖范围外的氧化膜去除掉,保留光刻胶保护层下的氧化膜,再通过去除光刻胶,得到保留的氧化膜俯视图就是光罩图形。那具体该如何通俗的理解半导体刻蚀工艺呢? 举个例子,东晋时期,王羲之出去和朋友们聚会,酒过三巡,兴致正酣,便找仆人拿来笔墨...
刻蚀工艺广泛应用于半导体制造、光学元件制造、微纳米器件制造等领域。 刻蚀工艺通常分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种。 1.湿法刻蚀:湿法刻蚀是指将材料置入含有化学蚀刻剂的溶液中,通过溶液中的化学反应来蚀刻材料表面。湿法刻蚀具有高蚀刻速率、高选择性和较低的成本等特点。常见的湿法刻蚀包括酸性刻蚀、碱性刻蚀、氧化物...
图1 微纳加工刻蚀工艺图 1 什么是刻蚀 刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形， 它在整个半导体工艺中是至关重要的一个步骤。随着微制造工艺的发展， 也衍生出了许多刻蚀方式，为微纳加工开辟了...
物理方法是借助具有高能量的离子撞击晶圆表面,以去除材料,这种方法叫溅射刻蚀(Sputtering)。该方法先把气体(主要使用惰性气体)气压降低,再赋予高能量,使气体分解为原子(+)与电子(-)。此时,朝晶圆方向施加电场,原子就会在电场作用下加速与晶圆发生冲撞。 这种方法的原理很简单,但在实际工艺中,仅凭这一原理很难达成目...
为了电路生产,这些图形必须再转移到光刻胶下面组成器件的各薄层(如SiO2、Si3N4、沉积的金属层)上。这种图形的转移是采用刻蚀工艺完成的。所以刻蚀与光刻是相关联的,曝光显影的图形质量也是决定刻蚀后的图形质量,这点对于尺寸以及线宽要求极为严格的图形来说非常重要。
刻蚀工艺的特性 “刻蚀”工艺具有很多重要的特性。所以,在了解具体工艺之前,有必要先梳理一下刻蚀工艺的重要术语,请见下图: ▲图2: 等向性刻蚀与非等向性刻蚀的特点 第一个关键术语就是“选择比”,该参数用于衡量是否只刻蚀了想刻蚀的部分。在反应过程中,一部分光刻胶也会被刻蚀,因此在实际的刻蚀工艺中,不可能...
分别从逻辑器件和存储器件的技术演进路线看刻蚀工艺应用：在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中，一体化大马士革刻蚀工艺，需要一次完成通孔和沟槽的刻蚀，是 技术要求最高、市场占有率最大的刻蚀工艺之一。存储器件2D到3D的结构转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤。在存储器件中，极高深宽比刻蚀是 最为困难和关键...