是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的...
干法刻蚀工艺--Bosch法刻蚀仿真 叮咚 半导体蚀刻-各向同性自由基蚀刻 各向同性自由基蚀刻 高压等离子蚀刻通常在0.2-2Torr的压力下进行. 材料蚀刻中化学过程相比物理过程会更多地发生辉光放电现象 应用于等离子蚀刻的压力会导致离子产生非常低的平均自由程以防… FA农民工 华慧高芯知识库 | 刻蚀系列3:附加气体对多层结...
如上图一(制造过程中晶圆的某个部位的剖面示意图),通过刻蚀工艺,把光刻胶覆盖范围外的氧化膜去除掉,保留光刻胶保护层下的氧化膜,再通过去除光刻胶,得到保留的氧化膜俯视图就是光罩图形。那具体该如何通俗的理解半导体刻蚀工艺呢? 举个例子,东晋时期,王羲之出去和朋友们聚会,酒过三巡,兴致正酣,便找仆人拿来笔墨...
刻蚀工艺广泛应用于半导体制造、光学元件制造、微纳米器件制造等领域。 刻蚀工艺通常分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种。 1.湿法刻蚀:湿法刻蚀是指将材料置入含有化学蚀刻剂的溶液中,通过溶液中的化学反应来蚀刻材料表面。湿法刻蚀具有高蚀刻速率、高选择性和较低的成本等特点。常见的湿法刻蚀包括酸性刻蚀、碱性刻蚀、氧化物...
准备工作:在刻蚀工艺开始之前,需要进行样品清洁、去胶、去异物等预处理工作,确保硅片表面干净平整。 光刻胶涂覆:将光刻胶均匀涂覆在硅片表面,并使用紫外曝光机将图案投影到光刻胶上,形成所需的图案。 显影:将硅片经过曝光后的光刻胶进行显影处理,去除未曝光部分的光刻胶,露出待刻蚀的硅片表面。
分别从逻辑器件和存储器件的技术演进路线看刻蚀工艺应用：在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中，一体化大马士革刻蚀工艺，需要一次完成通孔和沟槽的刻蚀，是 技术要求最高、市场占有率最大的刻蚀工艺之一。存储器件2D到3D的结构转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤。在存储器件中，极高深宽比刻蚀是 最为困难和关键...
刻蚀工艺包括八个关键步骤:ISO、BG、BLC、GBL、SNC、M0、SN和MLM。以下是这些步骤的详细解释: ISO(Isolation)阶段:在这个阶段,硅(Si)被蚀刻,创建出有源单元区。 BG(Buried Gate)阶段:形成行地址线路(Word Line)1和栅极,打造电子通道。 BLC(Bit Line Contact)阶段:在单元区内创建ISO与列地址线路(Bit Line)2...
例如,在大规模生产DRAM芯片时,刻蚀工艺的精确控制能够确保每一片晶圆上的数百万个存储单元都具有一致的性能和质量。 随着半导体技术的不断发展,新材料(如高 k 介质和低 k 介质)和新技术(如 FinFET 和 3D NAND)的引入,对刻蚀工艺提出了更高的要求。刻蚀工艺需要不断创新和改进,以适应新的制造需求和技术挑战。
芯片制造的刻蚀工艺科普 在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺...