本文采用 XPS 技术,对制备的无定型 Si-C-O-N 涂层进行了相关组成元素和结合状态的分析,为后续的研究工作奠定基础。1 实验Si-C-O-N 涂层采用上海有线电厂生产的型号为JG-PF-3B 射频磁控溅射仪来沉积。衬底和靶材分别采用市售的单面抛光的 RB SiC 陶瓷和自制的无压烧结的SiC 陶瓷, 尺寸分别为Ф38mm×3mm ...
一般来说,Si/C复合负极材料包括两种类型:Si/C复合材料和SiOx/C复合材料。因Si—O键比Si—Si键的键能更大,使得SiOx/C循环时具有更好的结构稳定性[5,6];另外,在第一次锂化过程中SiOx会生成比LixSi合金更稳定的物质,如氧化锂(Li2O)和硅酸锂(Li4SiO4),在接下来的循环中可充当硅的缓冲基体[7,8,9]。由于...
The harder film had higher C–N/Si–N intensity ratio confirming that C–N bond formations contribute in increasing hardness value.doi:info:doi/10.1166/nnl.2012.1320Mishra, S. K.Bhattacharyya, A. S.Rupa, P. K. P.Pathak, L. C.Nanoscience and Nanotechnology Letters...
以下是一些常见元素在XPS中的灵敏度因子(以Si为参考): - C:0.69 - O:0.82 - N:0.64 - S:0.70 - P:0.87 - Al:0.92 - Fe:1.93 - Ni:1.47 - Cu:1.13 - Ag:0.85 - Au:0.82 - Pt:1.07 这些数值可以用来校正峰强度以获得元素的准确浓度。请注意,这些数值可能会因仪器型号和实验条件的不同而有所变...
采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si,C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-C键略有下降...
采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si、C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少; C Sp<'2>有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si... 查看全部>>...
在Jinlong Cui等人[1]的工作中以稻壳用作C和Si源,硫脲用作S和N源,通过这种简单且经济的方法成功地制备硫/氮双掺杂多孔C/SiOx复合材料(SN@C/SiOx)。制作方案如图1所示。 SN@C/SiOx复合材料具有高比表面积,SiOx颗粒均匀分布在S/N掺杂的C基体中。S/N掺杂的C基体不仅提高了导电性,阻碍了颗粒的凝集,而且缓冲了...
如下视频所示,仅在不到2min的时间内便得到了400*400μm区域内Au元素的分布情况;针对得到的元素成像结果可以进行选区分析,两个不同位置测得元素存在很大差异,区域1表面主要由C、O、Au、F元素组成,区域2表面则主要由C、O、Si元素组成,在数分钟之内便可得到几十微米范围内的元素谱图,实现精准的微区分析。
XPS_Database C1s 的电子结合能: Energy (eV) Element Chemical bonding Ref 277.1 C1s Graphite C (fluoration F2-HF sur fibre Torayca) 117 278.4 C1s C-sec (fluoration avec F2-HF sur fibre Torayca) 117 279.2 C1s CH4 136 279.6 C1s CF (fluoration avec F2-HF sur fibre Torayca) 117 280.7 C1...
对样品代表性点进行数据采集,发现样品表面除了C元素及少量的O元素外,以及微量的Na、Si、Cl元素。为了对3#样品C元素进行更加准确的化学态表征,采用1#样品碳元素作参考,进而判断出3#样品除了sp2杂化碳外还含有C-C化学态形式的碳(如图5所示所示)。 同2#样品一样,3#样品也采用Avantage软件中独有NLLSF功能进行数据...