随着还原温度的升高,Co-O键的峰直到400 ℃时才减小,这是Co氧化表面的最低还原温度。原位拉曼光谱数据进一步证明,LaCoSi表面存在暴露的Co原子。 图3 LaCoSiHx的结构表征:(A-D)STEM图像和相应的La、Co、Si的EDS元素映射图像;(E)LaCoSiHx的单元胞和Bader电荷分析结果;(F-H)La、Co和Si的XPS谱图。 元素映射分...
同时,SiC-NW/C的C 1s XPS光谱中的Si-C峰比SiC-NW的Si-C峰高约0.2 eV。SiC-NW/C的Si-C键的能量增加意味着电子倾向于从SiC转移到C,因此可以抑制光催化过程中SiC-NW/C的载流子复合。此外,氮掺杂可以改善电子结构并增强石墨碳的...
随着还原温度的升高,Co-O键的峰直到400 ℃时才减小,这是Co氧化表面的最低还原温度。原位拉曼光谱数据进一步证明,LaCoSi表面存在暴露的Co原子。 图3 LaCoSiHx的结构表征:(A-D)STEM图像和相应的La、Co、Si的EDS元素映射图像;(E)LaCoSiHx的单元胞和...
如图2所示,位于103.2、163.4、284.2、398.4和532.4 eV的五个峰出现在S7/3的XPS光谱中,分别对应于Si 2p、S 2p、C 1s、N 1s和O 1s。S7/3的C1s、O1s、S2p、N1s和Si2p光谱可以去卷积成几个峰。 高分辨率的C1 s光谱被拟合为三个峰(图2b),可归因于C-C/C-N(在284.6 eV处)、C-s/CN(在285.6 eV)和O...
通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)证明SiO2薄膜与(111)金刚石呈现连贯、平整、均匀且无应变结构,从而为器件提供了较高的沟道空穴迁移率和较低的界面态密度。电子能量损失谱(EELS)以及x射线光电子能谱(XPS)均证实了界面以C-Si键为主。这些结果表明,C-Si/SiO2界面在金刚石FETs具有广阔的应用前景。
率的增加,Si元素结合能增加,这主要是溅射产额增加的 缘故;而N元素的含量则迅速上升,这主要归因于高溅射 功率下N-Si键的增加和更多N-C键的结合。 【关键词】射频磁控溅射法,Si-C-O-N涂层, XPS,分峰拟合 制备的无定型Si-C-O-N涂层在对SiC陶瓷衬底改性后, 可以获得较为满意的光学表面,其反射率有一定程度...
首先，利用X射线光电子能谱(XPS)对SEI和CEI具体成分进行了分析。图4a-c显示了NVPF正极在NPFT和NPF电解液中在-25、25和60℃循环80次后CEI的C 1s、F 1s和Si 2p特征光谱。可以看出，CEI主要由有机和无机组分组成，其中有机组分主要分为碳基和磷/硅/氯基两类产物，由于有机组分的复合性质(P/Si基交联位点...
XPS测试中,Si2p的结合能和NBO/BO比与硅酸盐链聚合度呈正相关,且随C/S比增加而降低,表明硅酸盐链聚合度随C/S比增加而降低。 pH调节作用:注入CO₂将溶液pH调节至10.0,此时溶液中的硅酸盐会以适度的速度相互聚合,有助于制备纳米级二氧化硅粒子。硅酸盐中的羟基与其他硅酸盐中的另一个羟基或不饱和氧原子脱水...
首先,利用X射线光电子能谱(XPS)对SEI和CEI具体成分进行了分析。图4a-c显示了NVPF正极在NPFT和NPF电解液中在-25、25和60℃循环80次后CEI的C 1s、F 1s和Si 2p特征光谱。可以看出,CEI主要由有机和无机组分组成,其中有机组分主要分为碳基和磷/硅/氯基两类产物,由于有机组分的复合性质(P/Si基交联位点溶解度...
首先,利用X射线光电子能谱(XPS)对SEI和CEI具体成分进行了分析。图4a-c显示了NVPF正极在NPFT和NPF电解液中在-25、25和60℃循环80次后CEI的C 1s、F 1s和Si 2p特征光谱。可以看出,CEI主要由有机和无机组分组成,其中有机组分主要分为碳基和磷/硅/氯基两类产物,由于有机组分的复合性质(P/Si基交联位点溶解度...