C-Si)/(Si-C) ，好像此种形式是表示C-Si峰面积与Si-C峰面积比，或者C/Si的含量比，而不是Si...
Yi Du通过在Ag(111)表面上氧化双层硅烯成功获得的准独立单层硅烯。 为了证实上图中描绘的氧化模型,即氧化后存在√13×√13/ 4×4硅烯缓冲层,他们利用XPS结合拉曼光谱对化学键进行了详细的分析。对比氧化前后硅烯的Si2p峰,发现√3 ×√3硅烯上的Si-Si键强度和位置并无变化,而√13×√13/ 4×4硅烯缓冲层对应...
Yi Du通过在Ag(111)表面上氧化双层硅烯成功获得的准独立单层硅烯。 为了证实上图中描绘的氧化模型,即氧化后存在√13×√13/ 4×4硅烯缓冲层,他们利用XPS结合拉曼光谱对化学键进行了详细的分析。对比氧化前后硅烯的Si2p峰,发现√3 ×√3硅烯上的Si-Si键强度和位置并无变化,而√13×√13/ 4×4硅烯缓冲层对应...
Cu 2p3/2，Cu-Si，932.7 eV
因Si—O键比Si—Si键的键能更大,使得SiOx/C循环时具有更好的结构稳定性[5,6];另外,在第一次锂化过程中SiOx会生成比LixSi合金更稳定的物质,如氧化锂(Li2O)和硅酸锂(Li4SiO4),在接下来的循环中可充当硅的缓冲基体[7,8,9]。由于SiOx(x<2)具有以上优势而备受工厂青睐,有望成为硅负极的替代选择,而SiO2...
图3 XPS线扫所得Si 2p谱图,说明共聚物层超薄,是纳米级别 图4 样品两端的C 1s谱图 Si 2p的谱图不随分析位置而改变,但是C 1s谱图随分析位置而变化,一端是1,7辛二烯末端的烃,另一端含有C-O和O=C-O,证明了共聚物的组成与图一预期相符。 图5 不同元素的原子百分比随分析位置的变化 ...
Si 2p的谱图不随分析位置而改变,但是C 1s谱图随分析位置而变化,一端是1,7辛二烯末端的烃,另一端含有C-O和O=C-O,证明了共聚物的组成与图一预期相符。 图5不同元素的原子百分比随分析位置的变化 不同元素的原子百分比随分析位置的变化表明样品表面的烃类组分逐渐减少而含氧有机物组分逐渐增多,在样品的每一...
2013-06-18 C-C键,C-H键,C-O键的键长,键能各是多少? 9 2015-02-20 某化合物有碳、氢、氧三种元素组成,其红外光谱图有C-H键、O... 2 2012-04-18 为什么Si—O键能比C—C键键能大,但是SiO2的熔点却比金... 5 2018-05-15 有机化学中C-H键、C=O键等等,中的C是多少价 5 2015-02-08...
案例十:中南民族大学唐和清团队通过XPS技术定量分析了样品表面C、O 和N的原子含量,如表1所示,相比于GO,H-RGO和N-RGO的氧含量都有所下降,说明水热过程会移除GO表面部分的含氧基团,从而实现还原的目的。 另外,N-RGO的氧含量比H-RGO低,这是由于氮原子取代了部分氧原子,且即使扣除氮的含量,N-RGO的氧含量依然...
聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的标准物质,具有典型的化学状态峰位,可以利用X射线光电子能谱峰鉴别各种化学键,其化学式为: 由于XPS图谱中各元素的分立性较强,因此可以在1次宽扫描中检测出样品含有的全部或极大多数元素。 由全谱宽扫描图(下图)知,...