在MOS管导通时,栅源电压(VGS)大于阈值电压(VTH),沟道形成,电流可以通过器件;而在MOS管截止时,栅源电压(VGS)小于阈值电压(VTH),沟道被堵塞,电流无法通过。总之,栅极电压与衬底电压之差大于阈值电压(VTH)是保证MOS管正常工作的必要条件,但并不足够决定MOS管的导通与截止。而栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关...
目前常用的Mosfet，都是G，D，S三个引脚，作为产品参数，用Vgs方便理解和测试。此外不得不安利一下我们...
我们更关注栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系，是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通时，栅源电压（VGS）大于阈值电压（VTH），沟道形成，电流可以通过器件。而在MOS管截止时，栅源电压（VGS）小于阈值电压（VTH），沟道被堵塞，电流无法通过。栅极电压与衬底电压之差大于阈值电压（VTH）...
Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET...
我们更关注栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关系,是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通时,栅源电压(VGS)大于阈值电压(VTH),沟道形成,电流可以通过器件。而在MOS管截止时,栅源电压(VGS)小于阈值电压(VTH),沟道被堵塞,电流无法通过。
当Vgs小于阈值电压Vth时,MOSFET处于截止状态,此时无论Vds如何变化,漏极电流Id都极小或为零。 当Vgs大于Vth时,MOSFET开始导通,漏极电流Id随着Vds的增大而增大。但这一增长并非无限制的,具体取决于MOSFET的工作区域。 工作区域: 线性区:当Vds较小时,MOSFET处于线性区。在此区域内,Id与Vds成正比,MOSFET可以看作是一...
VGS是指MOSFET的栅极（G）与源极（S）之间的电压。它是控制MOSFET导通与截止的关键参数。对于N沟道增强型MOSFET，当VGS大于开启电压（Vth）时，MOSFET导通；当VGS小于Vth时，MOSFET截止。开启电压Vth是MOSFET开始导通的最小VGS值，不同的MOSFET型号，其Vth值不同，一般在1V至4V之间。应用场景的重要性 开关电源中的...
亚阈值导电效应解:实际上,VGS=VTH时,一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流,甚至当VGSTH时,ID也并非是无限小,而是与VGS呈指数关系,这种效应叫亚阈值导电效应。相关知识点: 试题来源: 解析 什么是体效应?体效应会对电路产生什么影响?解:理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的,实际上两者并不一定...
如果VGS - Vth > 0,MOS管通常处于导通状态。反之,如果VGS - Vth < 0,MOS管通常处于截止状态。 例如,如果MOS管的临界电压(Threshold Voltage)为2V,而VGS为3V,那么相对电压为1V(VGS - Vth = 3V - 2V = 1V)。在这种情况下,MOS管可能处于导通状态。 这种相对电压的概念有助于我们理解MOS管的工作状态,并...
VGS是MOSFET栅极与源极之间的电压差，它直接影响MOSFET的导通状态。在MOSFET选型时，VGS的考虑主要包括： 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开始导通的最小VGS值。选择时，应确保工作电压高于阈值电压，以保证MOSFET在预期的工作条件下能够正常导通。 最大栅源电压（VGS_max）：这是MOSFET能够承受的最大栅源电压。超...