在介绍MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的工作原理时,我们经常会听到一个概念:当栅极电压(VGS)超过阈值电压(VTH)时,沟道形成,MOS管导通。但为什么在实际应用中,我们更关注VGS与VTH的关系呢?首先,让我们回顾一下VGS和VTH之间的关系。MOS管的转移特性曲线可以直观地展示这种关系。当VGS大于VTH时,MOS管导通,电流...
公式表示:虽然有一个公式VGS = VTH + Vds,但在实际应用中,我们更关注Vgs与Vth之间的关系,因为这直接决定了MOSFET的导通与截止状态。同时,Vds的大小也会影响MOSFET的工作区域和导通程度。 实际应用:在设计电路时,需要根据MOSFET的具体参数(如Vth、最大Vds、最大Vgs等)来选择合适的MOSFET,并确保电路中的电压和电流...
在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs(栅极-源极电压):这是施加在MOSFET栅极和源极之间的电压。它决定了MOSFET的导通与截止状态。对于NMOS而言,当Vgs大于阈值电压Vth时,MOSFET导通;而对于PMOS,情况则相反,当...
在MOSFET选型时，VGS的考虑主要包括： 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开始导通的最小VGS值。选择时，应确保工作电压高于阈值电压，以保证MOSFET在预期的工作条件下能够正常导通。 最大栅源电压（VGS_max）：这是MOSFET能够承受的最大栅源电压。超过此值可能会损坏MOSFET。理解VDS（漏源电压）VDS是MOSFET漏极与源...
VGS是指MOSFET的栅极（G）与源极（S）之间的电压。它是控制MOSFET导通与截止的关键参数。对于N沟道增强型MOSFET，当VGS大于开启电压（Vth）时，MOSFET导通；当VGS小于Vth时，MOSFET截止。开启电压Vth是MOSFET开始导通的最小VGS值，不同的MOSFET型号，其Vth值不同，一般在1V至4V之间。应用场景的重要性 开关电源中的...
我们更关注栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系，是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通时，栅源电压（VGS）大于阈值电压（VTH），沟道形成，电流可以通过器件。而在MOS管截止时，栅源电压（VGS）小于阈值电压（VTH），沟道被堵塞，电流无法通过。栅极电压与衬底电压之差大于阈值电压（VTH）...
VTH 与 VGS 之间的关系可以通过 MOS 管的转移特性曲线来直观地表示。在 VGS 大于 VTH 时,MOS 管导通,电流可以通过;在 VGS 小于 VTH 时,MOS 管截止,电流几乎不会通过。因此,要实现 MOS 管的开关功能,需要确保 VGS 大于 VTH。
我们更关注栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关系,是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通时,栅源电压(VGS)大于阈值电压(VTH),沟道形成,电流可以通过器件。而在MOS管截止时,栅源电压(VGS)小于阈值电压(VTH),沟道被堵塞,电流无法通过。
Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET可能工作在欧姆区（线性区）、饱和区（或活动区）等。Vth（门槛电压/Threshold Voltage）是使MOSFET从截止区转换到导通区所需的最小Vgs值。增强型MOSFET在Vgs大于Vth时开始导电；耗尽型MOSFET...
Vdsat=Vgs-Vth的公式在描述MOSFET的线性区与饱和区分界点时存在局限性，尤其是对于短沟道器件和FINFET器件，误差较大。实际Vdsat值通常小于此数值。沟道夹断模型指出，当Vds大于等于Vgs-Vth时，Vgd小于Vth，漏端形成反型层，沟道在漏端发生夹断。这时，由于夹断区场强很大，即使没有沟道，载流子也会被...