但对于低压MOSFET就有点不一样了,很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低,比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V,高温时最低都要接近0.8V了,这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。 所以,低压MOSFET使用时一定要留意Vgs(th)的这个负温度系数的特性! 5、Ciss, Coss, ...
但对于低压MOSFET就有点不一样了,很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低,比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V,高温时最低都要接近0.8V了,这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。 所以,低压MOSFET使用时一定要留意Vgs(th)的这个负温度系数的特性!! 5、Ciss, Coss,...
这个值直接决定这个MOS管能不能用在你要的应用场景之下,就好比你给12V电压选一颗电容,你肯定第一眼就去看耐压大于12V的电容,或者保守一点,直接选耐压25V的电容一样。Vds就是这个MOS管的耐压。 2. Vgs(th) 这个估计不少同学也都知道它是想让这个MOS管打开,所需要提供给G级的一个阈值电压。与这个参数相关的其实...
VGS(th)表示的是MOS的开启电压(阀值电压),对于NMOS,当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th)时,NMOS就会导通。 IGSS表示栅极驱动漏电流,越小越好,对系统效率有较小程度的影响。 IDSS表示漏源漏电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS为一定值时的漏源漏流,一般在微安级。 RDS(ON)表示MOS的导通电阻,一般来说导通电阻越小...
没有GaN Mosfet这种器件。目前的Mosfet都是基于Si或者SiC的。而用GaN为材料做的开关器件，目前最流行的...
21、的时间就加大,从 而导致 vgs 升高得更多一些-应该是此时跨导的原因, 你没有这么大的驱动电压是达不到这个 负载电流的,那么 vds 没有电压变化,何来弥勒效应之有,弥勒效应是在放大状态才存在的。 我是这么理解这个图的:当 vgs 电压达到 vgs(th)之后 mos 开始逐渐导通 id 在增加,但是由于此时跨 导比较小...
输入电容Ciss充电，G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS（th），Vgs上升到VGS（th）之前漏极电流Id...
对于做电源的工程师们而言，必须 要非常熟悉的器件，首选就是 MOSFET。它是整个电源的核心器件 - 心脏...
答案对人有帮助，有参考价值0 光耦后波形上的小尖峰是米勒电容引起的，重点和楼上说的一样，要判断下...
回复:不同测试条件,结果会不同,因此,在数据表中,会标明详细的测试条件。对于AET的测试,以VGS(th)为例,它和Igss相关,如AON6718L,当G和S极加上最大20V电压,注意到VDS=0V,如果Igss小于100nA, 由表明通过测试。 不同的公司ST,Fairchild,IR,Vishay等,可能使用不同的Igss,如IR1010使用200nA,IR3205使用100nA。