首先从表示ID-VGS特性的图表中,读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS(th),因此Ta=25℃的曲线与1mA(0.001A)的线交界处的VGS约3.8V。技术规格中虽未给出代表值(Typ),但从图表中可以看出,VGS(th)的Typ值为3.8V左右。图表的值基本上可理解为Typ值。 然后是ID-VGS特性,作...
即输入界限值以上的电压时MOSFET为开启状态。 那么MOSFET在开启状态时能通过多少A电流?针对每个元件,在规格书的电气特性栏里分别有记载。 表1为规格书的电气特性栏示例。该情况下,输入VDS=10V时,使1mA电流通过ID所需的栅极界限值电压ID(th)为1.0V to 2.5V。 表1: 规格书的电气特性栏 ID-VGS特性和温度特性 I...
ID-VGS特性和界限值都会随温度变化而变化。使用时请输入使其充分开启的栅极电压。其中,界限值随温度升高而下降,通过观察界限值电压变化,能够计算元件的通道温度。 需要注意的是,对于一定的VGS电压,漏极电流ID会随温度的上升而增加,但是达到10A以后,ID将与温度无关。新人小芯认为,当漏极电流达到一定限度后,MOSFET已经...
MOSFET的输出特性(ID-VDS特性)是MOSFET静态特性的一种,指的是当栅源电压VGS一定时,漏源电压VDS和漏电流ID之间的关系。 在漏极-源极电压VDS超过特定值之前,漏极电流ID随着漏极-源极电压VDS增大而增大。但是当漏极-源极电压VDS超过特定值时,漏极电流ID的增大不取决于漏极-源极电压VDS,而是取决于栅极-源极电压...
VGss :栅极(G)与源极(S)之间所能施加的最大电压值。 3.额定电流 ID(DC):漏极允许通过的最大直流电流值 此值受到导通阻抗、封装和内部连线等的制约,TC=25°C (假定 封装紧贴无限大散热板) ID(Pulse) :漏极允许通过的最大脉冲电流值 此值还受到脉冲宽度和占空比等的制约 ...
如果使用一般IGBT和Si-MOSFET使用的驱动电压Vgs=10~15V的话,不能发挥出SiC本来的低导通电阻的性能,所以为了得到充分的低导通电阻,推荐使用Vgs=18V左右进行驱动。Vgs=13V以下的话,有可能发生热失控,请注意不要使用。 三、 Vg - Id 特性 SiC-MOSFET的阈值电压在数mA的情况下定义的话与Si-MOSFET相当,室温下大约 ...
VGS电压的两个特性: ①VGS(th)电压小于VGS(th)MOSFET是不开启的,当VGS电压超过阈值后,MOSFET才逐渐导通,即RDS逐渐减小,只有当VGS电压增加到一定程度时,此时RDS达到最小值并基本保持不变。 如上图所示,当ID电流一定的情况下,VGS电压越小,VDS之间的压差越大(VDS电压与RDS成正比)。
SiC MOSFET 特性 1、跨导 开关电源中使用的硅 MOSFET 在两种工作模式或区域之间尽可能快地开关。当栅极-源极电压 VGS 小于栅阈值电压 VTH 时，晶体管处于高阻状态，此时被称为截止区域。在截止期间，漏极-源极电阻 RDS 是高阻状态，漏极电流 ID = 0 A。饱和区发生在 MOSFET 完全增强时，即 VGS >> VTH，...
MOSFET的特性曲线 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs。图中随着VGS增大,ID的斜率增大。原因是由于VGS增大,形成的反层型越厚,导通沟道电阻越小,ID的增长速度越快。 MOSFET有三个工作区域:截止区、饱和区和非饱和区,对应的输出特性曲...