最大栅源电压 (VGSS) 表示MOSFET的栅极和源极之间能够承受的最大电压值,超过此电压可能导致MOSFET的栅极氧化层永久损坏。为了避免这个问题的发生,有时候需要在MOSFET的栅极和源极之间并联一个稳压二极管。 那为什么有的电路需要并联稳压二极管,有的不需要呢? 1.看驱动电路是否稳定: 如果你用5V,比如MCU IO口驱动MOSF...
最大栅源电压 (VGSS ) 表示MOSFET的栅极和源极之间能够承受的最大电压值,超过此电压可能导致MOSFET的栅极氧化层永久损坏。为了避免这个问题的发生,有时候需要在MOSFET的栅极和源极之间并联一个稳压二极管。 那为什么有的电路需要并联稳压二极管,有的不需要呢? 1.看驱动电路是否稳定: 如果你用5V,比如MCUIO口驱动MOSF...
最大栅源电压 (VGSS) 表示MOSFET的栅极和源极之间能够承受的最大电压值,超过此电压可能导致MOSFET的栅极氧化层永久损坏。为了避免这个问题的发生,有时候需要在MOSFET的栅极和源极之间并联一个稳压二极管。 那为什么有的电路需要并联稳压二极管,有的不需要呢? 1.看驱动电路是否稳定: 如果你用5V,比如MCU IO口驱动MOSF...
首先从表示ID-VGS特性的图表中,读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS(th),因此Ta=25℃的曲线与1mA(0.001A)的线交界处的VGS约3.8V。技术规格中虽未给出代表值(Typ),但从图表中可以看出,VGS(th)的Typ值为3.8V左右。图表的值基本上可理解为Typ值。 然后是ID-VGS特性,作...
最大栅源电压 (VGSS) 表示MOSFET的栅极和源极之间能够承受的最大电压值,超过此电压可能导致MOSFET的栅极氧化层永久损坏。为了避免这个问题的发生,有时候需要在MOSFET的栅极和源极之间并联一个稳压二极管。 那为什么有的电路需要并联稳压二极管,有的不需要呢?
一、MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压 MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压是为使MOSFET导通,栅极与源极间必需的电压。也就是说,VGS如果是阈值以上的电压,则MOSFET导通。 可能有人问,这种“MOSFET导通”的状态,到底是“电流ID是多少的状态呢?”。的确,ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看,只要条件没有确定,就无...
英飞凌工程师解答：当在MOSFET栅极加一个很小的电压（Vg）时，在栅极氧化层下方会形成一个耗尽层。当...
Id VGS 正值为N 负值为P
理解VGS（栅源电压）VGS是MOSFET栅极与源极之间的电压差，它直接影响MOSFET的导通状态。在MOSFET选型时，VGS的考虑主要包括： 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开始导通的最小VGS值。选择时，应确保工作电压高于阈值电压，以保证MOSFET在预期的工作条件下能够正常导通。 最大栅源电压（VGS_max）：这是MOSFET能够承受...
VGS是指MOSFET的栅极（G）与源极（S）之间的电压。它是控制MOSFET导通与截止的关键参数。对于N沟道增强型MOSFET，当VGS大于开启电压（Vth）时，MOSFET导通；当VGS小于Vth时，MOSFET截止。开启电压Vth是MOSFET开始导通的最小VGS值，不同的MOSFET型号，其Vth值不同，一般在1V至4V之间。应用场景的重要性 开关电源中的...