MOS管进入恒流区，在此工作区内，VDS增大时，ID仅略微增大，因此可将ID看作是受VGS控制的电流源，当...
SiC及Si MOSFET的Id相对Vd(Vds)呈线性增加,但由于IGBT有上升电压,因此在低电流范围MOSFET元器件的Vds更低(对于IGBT来说是集电极电流、集电极-发射极间电压)。不言而喻,Vd-Id特性也是导通电阻特性。根据欧姆定律,相对Id,Vd越低导通电阻越小,特性曲线的斜率越陡,导通电阻越低。 IGBT的低Vd(或低Id)范围(在本例中...
在电子工程中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的半导体器件。科泰微的CM30N80是一款典型的N沟道MOSFET，具有特定的电气参数和封装形式。根据参数描述，CM30N80的额定电压为VDS=30V，这意味着它能够承受的最大电压差为30伏特。电流ID=80A表示在特定条件下，该器件可以安全地传导80安培的电流。这...
矽源特ChipSourceTek-PE10N65J的核心特性在于其高耐压、大电流处理能力以及低导通电阻。具体而言,该Mosfet的漏源极电压(VDS)高达650V,漏极电流(ID)可达10A,而导通电阻RDS(ON)在栅源极电压(VGS)为10V时小于0.8Ω。这些参数使得PE10N65J能够在高电压、大电流环境下稳定运行,同时保持较低的功耗,从而提升整个电路...
矽源特ChipSourceTek-VS3510AD是VDS=-30V,ID=-50A,RDS(on)( TYP)=10mΩ@VGS=-10V,RDS(on) (TYP)=18mΩ@VGS=-4.5V的P沟道MOSFET。矽源特ChipSourceTek-VS3510AD特性：P-Channel，-5V Logic Level Control Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V Fast Switching Enhancement mode 100% Avalanche...
矽源特ChipSourceTek-PE8312F概述：矽源特ChipSourceTek-PE8312F是VDS=30V，ID=12A，RDS(ON)<7mΩ@VGS=10V，RDS(ON)<14.5mΩ@VGS=4.5V的N沟道MOSFET。矽源特ChipSourceTek-PE8312F的丝印是矽源特ChipSourceTek-8312。矽源特ChipSourceTek-PE8312F提供UDFN2x2-6L封装。The 矽源特ChipSourceTek-PE8312F ...
矽源特ChipSourceTek-MX6005S,一款卓越之作,以其独特的电气特性傲立于世:VDS耐压高达-60V,ID饱和电流稳坐-5A之位,RDS(ON)典型值在VGS=-10V时仅为53mΩ,即便VGS低至-4.5V,亦能保持69mΩ的佳绩,展现了P沟道增强型Mosfet的非凡实力。其身形轻盈,SOP8封装之下,蕴藏着无尽潜能。
VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压,在管子工作时,这两端的电压应力不能超过最大值。在MOSFET选型时,VDS电压都要降额80%选用。 2023-05-29 15:12:14 苹果宣布SKAdNetwork 2.0已支持来源AppID和转化值 11月25日消息 今日,苹果面向开发者宣布,SKAdNetwork 2.0 现已支持来源 AppID和转化值。
产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-23F-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 4 A Rds On-漏源导通电阻 56 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 4.5 V Vgs th-栅源极阈值电压 400 mV Qg-栅极电荷 2.2 nC 最大工作温度 ...
矽源特ChipSourceTek-MX2N7002K是VDS=60V，ID=0.3A，VGS=4.5V，RDS(ON)(Typ.)=2.5 Ω ，VGS=10V，RDS(ON)(Typ.)=1.8 Ω 的N沟道MOSFET,矽源特ChipSourceTek-MX2N7002K丝印72K,MX2N7002K提供的是SOT23的封装。 矽源特ChipSourceTek-MX2N7002K特性：VDS =60V，ID = 0.3A VGS= 4.5V RDS(ON)(Ty...