1) 对长沟器件来说，进入饱和区后（Vds>Vsat），Ids不随Vds增加而增加，实践中Lg达到几个um时候就很...
Kevin Hahn 硅基使徒 LS FET导通时S/D反转,名义Ids为负,这个叫做MOSFET的第三象限模式(3rd quadrant),即Ids<0,Vds<0。在死区时间,说是body diode导通续流,实际上是寄生BJT导通,body diode是BJT的EB结,S是collector,这是MOS模型里的常见做法。需要注意的是,死区时间时MOS channel并非完全关断的,虽然名...
反激开关电源DCM工作模式VDS和IDS的波形,这波形哪有问题呢? 反激开关电源DCM工作模式。VDS和IDS的波形,这波形哪有问题呢??? liuqin1232018-10-24 15:02:19 SiCMOSFET中Crosstalk波形错误的原因 在图1的半桥电路中,动作管为下管S1,施加在上管S2的为关断驱动信号,其体二极管处于续流状态。当S1进行开通时,其端...
[4.9.1]--MOSFET非平衡时的能带图3.3.2Ids~Vds的_clip001 jf_75936199 188 11 MOSFETS and BJTs三级管和MOS管的工作原理 3D电路原理 1.8w 704 什么是半导体?掩藏在电阻率里面的真相#跟着UP主一起创作吧 #从入门到精通,一起讲透元器件! 李皆宁讲电子 1.7w 1166 使用LM358做的接近报警器,三层搭棚焊接,满...
I just want to characterize a Power P-MOSFET, Vth between -2 to -4 V with 100V allowed across channel. I want to use a function generator to pulse the gate. I also have access to oscillsocopes. I want to be able to measure VGS, VDS, and IDS. Any thoughts? Like Reply beent...
1 求教Mosfet的参数power dissipation具体什么含义! 例如FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W 他的Vds=500v Ids=28.4a,表示他可以承受500的管压和28.4的电流通过; 那这个310W的power dissipatio 功耗?允许310W的功率通过它?不懂! 2求教Mosfet的参数power dissipation具体什么含义!例如FQA28N50 (MOSFET) 500V/...
1) 对长沟器件来说，进入饱和区后（Vds>Vsat），Ids不随Vds增加而增加，实践中Lg达到几个um时候就很...