在SiC MOSFET数据手册中，最大漏-源极电压VDSS定义了漏极和源极之间允许的最大电压，实际使用中，SiC MOSFET漏极电压VDS不能超过额定值，否则会引发失效风险。SiC MOSFET在应用中，母线电压都低于额定电压，但是在器件开关过程中，由于回路中杂散电感的存在，变化的电流di/dt会在杂散电感上感应出一个电压，叠加在SIC...
VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID 表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。 IDM 表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度,如果超过该值,会引起击穿的风险。 EAS 表示单脉冲雪崩击穿能量,如果电压过冲值...
1、4 VDS的电压通常要降额80%或90%进行使用。所以在测试用例中spec要乘以0.8/0.9 1、5 VDS电压测试的注意事项 ①带宽选择:通常VDS电压推荐使用100M以上的示波器带宽和探头带宽。 AC-DC开关电源测量Vds电压推荐使用100MHz以上的示波器系统带宽,低压 DC-DC 开关电源测量Vds电压推荐使用350MHz以上的示波器系统带宽 。
栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。 一般情况下,会给出两组漏源电流,分别是常温下100%额定电压下的漏电流以及极限温度下80%额定电压下的漏电流。 如图5.5,漏源电流在125℃以下会很小,在纳安级别,当超过这个温度时,每上升10℃,电流就会增大约一倍。 图5.5 IDSS vs. Temperature 这里的IDSS与之前的ID不...
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因...
当VGS>VT且VDS增大时,由于漏电压增大,漏端附近的氧化层压降减小,这意味着漏端附近的反型层电荷密度也将减小。漏端的沟道电导减小,从而ID-VDS特性曲线的斜率减小,如图8-2所示。 当VGS>VT且VDS增大到漏端的氧化层压降等于VT时,漏极处的反型层电荷密度为零,此时漏极处的电导为零,这意味着ID-VDS的特性曲线的...
例如,当输入VDS=10V时,使1mA电流通过ID所需的栅极界限值电压ID(th)为1.0-2.5V。 MOSFET的ID-VGS特性,以及界限值温度特 ID-VGS特性和界限值都会随温度变化而变化。使用时请输入使其充分开启的栅极电压。其中,界限值随温度升高而下降,通过观察界限值电压变化,能够计算元件的通道温度。 需要注意的是,对于一定的VGS...
（1）Igs>ID时 所以 两边同时积分得 这时IRg2为：所以 两边同时积分得:（2）Igs<ID时，这个发生在VDS=VCC的时候 所以 两边同时积分得 这时IRg3为：所以 两边同时积分得：观察Vgs2和Vgs3是远小于Vgs1，这也就是所谓的平台期，因为Vgs变化小所以所以出现了平台，在恒流区Vgs微小变化会带来ID剧烈变化。而观察Vgd...
启动电源1、电源2、电子负载,记录此时的万用表电压即为VD-S。根据欧姆定律:Rds(ON)= VDS/Id。 6、正向跨导 ( gfs ) 正向跨导表示 MOSFET 的信号增益(漏极电流除以栅极电压,漏极输出电流的变化量与栅源 电压变化量之比)。高gfs 表明栅极 VGS 低电压可以获得高电流 ID 的能力。它也可以由下列公式计算出: ...
MOSFET是电源设计中必不可少的一种电子元器件，大部分工程师对MOSFET的使用普遍停留在MOSFET元器件的一些基本参数，比如Vds，Id，Rds（on），零件封装。但其实MOSFET元器件还有许多重要的参数需要严谨思考和确认，包括Ciss，Coss，EAS，Ptot，Trr，SOA，Crss等参数。这些参数对电源产品的性能，稳定性，寿命都有极其重要...