栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。 一般情况下,会给出两组漏源电流,分别是常温下100%额定电压下的漏电流以及极限温度下80%额定电压下的漏电流。 如图5.5,漏源电流在125℃以下会很小,在纳安级别,当超过这个温度时,每上升10℃,电流就会增大约一倍。 图5.5 IDSS vs. Temperature 这里的IDSS与之前的ID不...
对于短沟道或者说你想考虑沟道长度调制(即考虑输出电阻有限),ΔL相对于L不能忽略,就需要考虑VDS>VOD电流的变化。由长沟道Id的饱和区公式(L换成L-ΔL)可以得到考虑沟道长度调制效应的公式,VDS越大,ΔL越大,L-ΔL约小,I越大 来自Android客户端3楼2024-01-24 11:30 收起回复 ...
14.沟道长度调制:夹断导致VDS↑,L↓;定义缩短后的沟道长度(做线性近似),可以把式(4)写成下式,就不用L′这种表示了;沟道越长,λ越小,效应越弱,ro越大;沟长调制是器件缺陷,不是调节ID的手段,ID由过驱动电压调节。 ro即VDS随ID的变化率,在饱和区内: 厄利电压本来是描述三极管基区宽度调制效应的,在MOSFET中...
在MOSFET的选型过程中，VGS和VDS是两个关键参数，它们直接关系到MOSFET的工作状态和安全性。正确理解和应用这两个参数，结合其他电气特性，是设计高效、可靠电路的基础。随着电子技术的发展，对MOSFET性能的要求也在不断提高，因此，工程师需要不断学习最新的MOSFET技术和选型方法，以满足不断变化的市场需求。
科泰微的CM30N80是一款典型的N沟道MOSFET，具有特定的电气参数和封装形式。根据参数描述，CM30N80的额定电压为VDS=30V，这意味着它能够承受的最大电压差为30伏特。电流ID=80A表示在特定条件下，该器件可以安全地传导80安培的电流。这表明CM30N80适用于高电流的应用。关于电阻特性，RDS(ON)(Typ.)4.6mΩ@Vgs=10V...
英飞凌工程师解答：在SiC MOSFET数据手册中，最大漏-源极电压VDSS定义了漏极和源极之间允许的最大电压，实际使用中，SiC MOSFET漏极电压VDS不能超过额定值，否则会引发失效风险。SiC MOSFET在应用中，母线电压都低于额定电压，但是在器件开关过程中，由于回路中杂散电感的存在，变化的电流di/dt会在杂散电感上感应出一...
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因...
也就是说,当驱动未钳位负载的MOSFET关断时,功率MOSFET雪崩额定值适用于由此产生的Vds和Id(这些术语假定为n沟道MOSFET,否则Vsd和Is适用于p沟道 MOSFET)波形。图2显示了基础电路,图3显示了器件波形。接着,我们继续假设一个n沟道MOSFET并定义如下术语: Iav=雪崩电流...
MOSFET的Vds是指漏源电压,是MOSFET的主要参数之一,代表了器件能够承受的最大电压。在MOSFET工作时,Vds的大小决定了器件处于哪个工作区,并影响器件的导通能力和电流承受能力。当Vds较小时,MOSFET处于线性区,漏极电流与漏源电压之间呈线性关系。随着Vds的增大,MOSFET...
VGS和VDS在MOSFET管的应用中都具有不可替代的重要性，很难简单地判定哪一个更重要，它们的重要性取决于具体的应用场景和设计要求。 从控制角度：VGS是控制MOSFET导通与截止的核心参数，它直接决定了MOSFET的工作状态。在需要精确控制MOSFET开关动作的场合，如高速开关电路、精密信号放大电路等，VGS的稳定性、响应速度...