1.连续漏源极电流(Id) 很多刚入门的硬件工程师选MOSFET时,很关注这个参数,就像上面这个图片一样,Id最大值是100A,是不是意味着我们能拿这个MOSFET通100A的电流?当然不是,因为厂家这100A的测试条件备注了1),2)角标,也就是下面的描述,这里明确说了,这100A的最大电流和你的散热设计有关,并且只是设计值,批量出货的MOSFET不保证能通过
一、MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压 MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压是为使MOSFET导通,栅极与源极间必需的电压。也就是说,VGS如果是阈值以上的电压,则MOSFET导通。 可能有人问,这种“MOSFET导通”的状态,到底是“电流ID是多少的状态呢?”。的确,ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看,只要条件没有确定,就无...
首先从表示ID-VGS特性的图表中,读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS(th),因此Ta=25℃的曲线与1mA(0.001A)的线交界处的VGS约3.8V。技术规格中虽未给出代表值(Typ),但从图表中可以看出,VGS(th)的Typ值为3.8V左右。图表的值基本上可理解为Typ值。 然后是ID-VGS特性,作...
输入电压 (Vin) 可以通过栅极 (G) 提供给源 (S) 电压,即VGS。RS电阻上的电压降可由RS×ID给出。 根据跨导 (gm) 定义,当施加恒定的漏源电压时,ID(漏极电流)与 VGS(栅源电压)的比值,即: (gm) = ID/VGS 因此,ID = gm×VGS,并且输入电压 (Vin) 可以由 VGS 分解,如下所示: Vin = V GS x (1...
ro即VDS随ID的变化率,在饱和区内: 厄利电压本来是描述三极管基区宽度调制效应的,在MOSFET中沿用了这种说法。厄利电压,是单位沟长的厄利电压,由工艺决定, 因此式(9)可写为: 15.亚阈值导电性:VGS<VTH时(弱反型区),ID并不立刻下降至零,而是以有限的速度(指数)下降,会产生较大功耗并使模拟信号丢失。是一个...
VGS和VDS在MOSFET管的应用中都具有不可替代的重要性，很难简单地判定哪一个更重要，它们的重要性取决于具体的应用场景和设计要求。 从控制角度：VGS是控制MOSFET导通与截止的核心参数，它直接决定了MOSFET的工作状态。在需要精确控制MOSFET开关动作的场合，如高速开关电路、精密信号放大电路等，VGS的稳定性、响应速度...
栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。 一般情况下,会给出两组漏源电流,分别是常温下100%额定电压下的漏电流以及极限温度下80%额定电压下的漏电流。 如图5.5,漏源电流在125℃以下会很小,在纳安级别,当超过这个温度时,每上升10℃,电流就会增大约一倍。 图5.5 IDSS vs. Temperature 这里的IDSS与之前的ID不...
Id VGS 正值为N 负值为P
VGS导通电压是指MOSFET的栅极(G)和源极(S)之间的电压,它是MOSFET的一个重要特性参数。一般来说,当VGS电压大于某个阈值(通常是几伏)时,MOSFET会开始导通,即电流开始在源极和漏极之间流动。这个阈值电压通常被称为VGS(th)。 二、VGS导通电压的影响因素 VGS导通电压并不是固定...
技术参数对比:SMT10T03D(A)HT Vs.友商A 我们在实验过程中,拿友商A做比较,其重要技术参数对比如图6所示。 图6 MOSFET重要参数对比 BMS线性能力对比(SOA) 测试条件如下: VDS=48V,Vgs=5V; 测试电路板如下图7所示。 图7 BMS短路能力测试Demo板 测试VDS电压/ID电流波形如下: ...