Transfer Curve:是用图表的方式表达出ID和Vgs的函数关系。厂商会给出在不同环境温度下的三条曲线。通常这三条曲线都会相交与一点,这个点叫做温度稳定点。 如果加在MOSFET的Vgs低于温度稳定点(在IPD90N06S4-04中是Vgs《6.2V),此时的MOSFET是正温度系数的,就是說,ID的电流是随着结温同时增加的。在设计中,当应用...
截止区:VGS<VTHID=0VGS<VTHID=0 线性区:VGS≥VTH;0≤VDS≤VDS,sat=VGS−VTHVGS≥VTH;0≤VDS≤VDS,sat=VGS−VTH 深度线性区:VGS≥VTH;0≤VDS<<2(VGS−VTH)VGS≥VTH;0≤VDS<<2(VGS−VTH) 饱和区:VGS≥VTH;VDS>VDS, sat =VGS−VTHVG...
MOSFET允许最大漏极电流IDSS,这取决于VGS的水平。 线性或欧姆区域:在该区域,VGS < +Vth, VDS < V-P。MOSFET充当放大器。在该区域,电流ID随VDS的增大而增大,其放大取决于VGS,如VI特性所示。 #10MOSFET的增强 Enhancement MOSFET 增强型MOSFET或E-MOSFET是一种在制造过程中没有沟道的MOSFET。相反,通道是通过施加...
Fig2. MOSFET I-V Curve 开关在关断状态时阻断供电电压,在导通状态时充当小电阻。这在 Fig2 所示的典型功率 MOSFET I-V特性中很明显。在图的左侧,Vds 随着 Id 的增加而线性增加,表明该器件作为电阻工作。该图显示,在较高的栅极电压(Vgs)下,I-V 响应更陡峭,这意味着导通状态电阻更低。然而,在较低的 Vgs ...
Transfer Curve:是用图表的方式表达出ID和Vgs的函数关系。厂商会给出在不同环境温度下的三条曲线。通常这三条曲线都会相交与一点,这个点叫做温度稳定点。 如果加在MOSFET的Vgs低于温度稳定点(在IPD90N06S4-04中是Vgs<6.2V,此时的MOSFET是正温度系数的,就是说,ID的电流是随着结温同时增加的。在设计中,在大电流...
数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗...
在采用此方法进行测量时，首先需要将晶体管的漏极与栅极进行短接，随后在栅极上施加一个逐渐增大的电压Vgs，并同步监测流入漏极的电流Id。当漏极电流达到预设的阈值时，记录下此时的Vgs值，即可得到测量结果。值得注意的是，某些Curve Tracer（晶体管特性图示仪）便采用了这种测量方法。尽管我无法提供图示仪的具体电路...
这就单纯是PN结雪崩击穿了(**alanche Breakdown),主要是漏极反偏电压下使得PN结耗尽区展宽,则反偏电场加在了PN结反偏上面,使得电子加速撞击晶格产生新的电子空穴对 (Electron-Hole pair),然后电子继续撞击,如此雪崩倍增下去导致击穿,所以这种击穿的电流几乎快速增大,I-V curve几乎垂直上去,很容烧毁的。(这点和源漏...
在功率MOSFET的数据表给出的参数中, 通常最为关心的基本参数为 、、Qgs、和Vgs。更为高级一些的参数,如ID、Rthjc、SOA、Transfer Curve、EAS等,将在本文的下篇中再做介绍。 为了使每个参数的说明更具备直观性和易于理解,选用了英飞凌公司的功率MOSFET,型号为IPD90N06S4-04(:infineon/optimos-T)。本文中所有的...
Transfer Curve:是用图表的方式表达出ID和Vgs的函数关系。厂商会给出在不同环境温度下的三条曲线。通常这三条曲线都会相交与一点,这个点叫做温度稳定点。 如果加在MOSFET的Vgs低于温度稳定点(在IPD90N06S4-04中是Vgs<6.2V),此时的MOSFET是正温度系数的,就是說,ID的电流是随着结温同时增加的。在设计中,当应用...