SiC MOSFETSiC DiodeIGBTSiliup provide series of low-voltage MOSFETs, with breakdown voltage selection range from -60V to 100V and current selection range from 3.5A to 150A. The package types includes TO-252, DFN2*2, DFN3*3, DFN5*6 and SOP-8, providing customers with more and better ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 75 A Rds On-漏源导通电阻: 34 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2...
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 1.6W(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面...
属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)13.5A 导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V,8A 耗散功率(Pd)3.1W 属性参数值 阈值电压(Vgs(th))3V 栅极电荷量(Qg)37nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)1.95nF@20V ...
ID (A)@TA=25℃ PD (W)@TA=25℃ VGS (V) VGS(th)(V) (Typ.) Data sheet WM03N115A N-Channel Trench MOSFET SOP-8 30 0.0115 11.5 3 12 1.7 WM02N31M N-Channel Trench MOSFET SOT-23 20 / 3.1 0.35 12 0.9 WM02N70M N-Channel Trench MOSFET SOT-23 20 0.02 7 2 12 0.65 WM02N50...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 800 V Id-连续漏极电流: 6 A Rds On-漏源导通电阻: 770 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 15 nC 最...
Copy支路主要是把电流信息转换成Vgs1, Current Source支路的作用则是把Vgs1再变回电流,同时尽量避免负载情况不同而使得电流不同。 同时,我把被复制电流分成了两种情况,一个是由基准产生的电流Iref一个是待处理信号Isignal,将产生的电流标记单引号。 low voltage cascode 结构 后续文章中所有MOSFET的下角标编号都讲依...
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 48 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 36 W 配置: Single 商标名: SuperFET II 高度: 16.07 mm 长度: 10.36 mm 产品: MOSFET 系列: FCPF260N60E 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 4.9 mm 商标: ON...
STN4NF20L N-channel 200 V, 1.1 Ω, 1 A SOT-223 low gate charge STripFET™ II Power MOSFET Features Order code STN4NF20L VDSS 200 V RDS(on) max. < 1.5 Ω■ 100% avalanche tested ■ Low gate charge ■ Exceptional dv/dt capability ID 1A Application Switching applications Description ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 4.3 A Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV Qg-栅极电荷: ...