此时,即使Vds继续增大,也不会对MOSFET的导通程度产生显著影响。 变阻区:当Vgs > Vth且Vds < Vgs - Vth时,MOS管工作在变阻区。此时沟道是“畅通”的,相当于一个导体,且近似满足V-I的线性关系,即有一个近似固定的阻值。此阻值受Vgs控制。 三、Vgs、Vth与Vds的综合关系 公式表示:虽然有一个公式VGS = VTH ...
Vth是MOSFET的一个重要参数,它决定了MOSFET开始导通所需的栅极电压。Vth的值取决于MOSFET的材料、工艺和温度等因素。 Vth的变化会直接影响Vgs与Vds之间的关系以及MOSFET的导通特性。 三、实际应用中的考虑 在设计电路时,需要根据MOSFET的具体参数(如Vth、最大Vds、最大Vgs等)来选择合适的MOSFET,并确保电路中的电压和...
在MOSFET选型时，VGS的考虑主要包括： 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开始导通的最小VGS值。选择时，应确保工作电压高于阈值电压，以保证MOSFET在预期的工作条件下能够正常导通。 最大栅源电压（VGS_max）：这是MOSFET能够承受的最大栅源电压。超过此值可能会损坏MOSFET。理解VDS（漏源电压）VDS是MOSFET漏极与源...
Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET...
这就需要选择低Vth的MOSFET，或者使用电平转换电路来提高VGS，以确保MOSFET能够可靠地工作在导通状态。因此，在设计逻辑电平驱动的电路时，必须充分考虑VGS与逻辑电平的匹配关系。VDS（漏源电压）定义与作用 VDS是指MOSFET的漏极（D）与源极（S）之间的电压。当MOSFET导通时，VDS主要影响MOSFET的导通电阻（RDS(on)）和...
PMOS晶体管的饱和条件为VGS ≤ Vth(阈值电压,通常为负值),此时漏极电流主要受VGS控制,而VDS对电流的影响相对较小。在饱和区内,VDS的增加会导致电流略微上升,这源于沟道长度调制效应。具体关系可通过电流公式和电场变化规律进一步分析。1. PMOS的饱和条件PMOS进入饱和区的核心条...
从这个公式可以看出,即使VGS略小于VTH,只要Vds足够大,也可以使MOS管导通。因此,在实际应用中,我们通常更关注Vds的大小,而不是VGS与VTH之间的差距。然而,栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关系直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通时,栅源电压(VGS)大于阈值电压(VTH),沟道形成,电流可以通过器件;而在...
其中，Vds 是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出，只要 Vds 足够大，即使 VGS 略小于 VTH，也可以让 MOS 管导通。因此，在实际应用中，我们通常关注 Vds 的大小，而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。我们更关注栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系，是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在...
VGS和VDS详解 一、VGS(栅-源电压) VGS是栅极(Gate)和源极(Source)之间的电压差,对于MOSFET的操作而言,VGS是一个关键参数,因为它决定了MOSFET是否能够导通以及导通的程度。 1、工作原理:当VGS超过一定的阈值电压(Vth,也称为开启电压)时,MOSFET开始导通,形成一个导电沟道,允许电流从漏极流向源极,对于增强型MOSFET...
其中,Vds 是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出,只要 Vds 足够大,即使 VGS 略小于 VTH,也可以让MOS 管导通。因此,在实际应用中,我们通常关注 Vds 的大小,而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。 我们更关注栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关系,是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通...