其实,这个关系可以通过一个简单的公式来表示:VGS = VTH + Vds。其中,Vds是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出,即使VGS略小于VTH,只要Vds足够大,也可以使MOS管导通。因此,在实际应用中,我们通常更关注Vds的大小,而不是VGS与VTH之间的差距。然而,栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关系直接决定了MOS管...
Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET...
Vth是MOSFET的一个重要参数,它决定了MOSFET开始导通所需的栅极电压。Vth的值取决于MOSFET的材料、工艺和温度等因素。 Vth的变化会直接影响Vgs与Vds之间的关系以及MOSFET的导通特性。 三、实际应用中的考虑 在设计电路时,需要根据MOSFET的具体参数(如Vth、最大Vds、最大Vgs等)来选择合适的MOSFET,并确保电路中的电压和...
在MOSFET选型时，VGS的考虑主要包括： 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开始导通的最小VGS值。选择时，应确保工作电压高于阈值电压，以保证MOSFET在预期的工作条件下能够正常导通。 最大栅源电压（VGS_max）：这是MOSFET能够承受的最大栅源电压。超过此值可能会损坏MOSFET。理解VDS（漏源电压）VDS是MOSFET漏极与源...
其中，Vds 是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出，只要 Vds 足够大，即使 VGS 略小于 VTH，也可以让 MOS 管导通。因此，在实际应用中，我们通常关注 Vds 的大小，而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。我们更关注栅源电压（VGS）与阈值电压（VTH）之间的关系，是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在...
这就需要选择低Vth的MOSFET，或者使用电平转换电路来提高VGS，以确保MOSFET能够可靠地工作在导通状态。因此，在设计逻辑电平驱动的电路时，必须充分考虑VGS与逻辑电平的匹配关系。VDS（漏源电压）定义与作用 VDS是指MOSFET的漏极（D）与源极（S）之间的电压。当MOSFET导通时，VDS主要影响MOSFET的导通电阻（RDS(on)）和...
可以用一个简单的公式表示:VGS = VTH + Vds。 其中,Vds 是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出,只要 Vds 足够大,即使 VGS 略小于 VTH,也可以使 MOS 管导通。因此,在实际应用中,我们通常关注 Vds 的大小,而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。
在线性区，ids随着vds增加而增加，近似线性关系。当vds超过vgs-vth，即沟道夹断后，电流不随vds增加而...
这是MOS管电流Id随Vgs变化曲线,开启电压为1.65V。下图是MOS管的IDS和VGS与VDS 之间的特性曲线图,类似三极管。 下面我们先从器件结构的角度看一下MOS管的开启全过程。 1、Vgs对MOS管的开启作用 一定范围内 Vgs>Vth,Vds Vgs为常数时,Vds上升,Id近似线性上升,表现为一种电阻特性。
Vdsat=Vgs-Vth的公式在描述MOSFET的线性区与饱和区分界点时存在局限性，尤其是对于短沟道器件和FINFET器件，误差较大。实际Vdsat值通常小于此数值。沟道夹断模型指出，当Vds大于等于Vgs-Vth时，Vgd小于Vth，漏端形成反型层，沟道在漏端发生夹断。这时，由于夹断区场强很大，即使没有沟道，载流子也会被...