Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET...
即临界时，Vgd=Vgs-Vds=Vth，即Vds=Vgs-Vth 这就是推导过程。你要站在电位差的角度，而且空间角度上，，你要考虑到源极跟漏极，对于门极来说都是对称的电极。所以，规律也是一样的。这就是本质。另外，源极的特殊地方，就是跟底部衬底连接在一起了。而漏极没有连接底部衬底。所以，不好理解。
对于长沟道器件，vds＞vgs－vth，处于饱和区，当然前提是vgs要大于vth，这也就是导通了，电流为d到s ...
只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。
MOS管工作在饱和区时,满足条件VDS()VGS-VTH,夹断区是()区。 A.>,耗尽B.>,反型C.< ,耗尽D.< ,反型 点击查看答案手机看题 你可能感兴趣的试题 单项选择题 下列哪个选项关于OpenFlow保留端口的叙述是错误的() A.IN_PORT:从入端口发出B.TABLE:用于Packet_In消息,执行流表动作C.CONTROLLER:封装数据包并转...
百度试题 题目在一个N沟道增强型场效应管中,哪种情况下导通? A. VGS > VTH且VDS > 0 B. VGS < VTH且VDS > 0 C. VGS > VTH且VDS < 0 D. VGS < VTH且VDS < 0 相关知识点: 试题来源: 解析 A null 反馈 收藏
产品概要VDS -20V ID(在VGS = -10V时)-50A RDS(ON)(在VGS = -10V时)<4.6mΩ... 分享回复赞 mos管采购吧 耶啵的奶瓶呀 电动车仪表盘可用FHD9540型号替代NCE01P30型号参数场效应管!FHD9540的主要封装形式是TO-220、TO-251、TO-252,脚位排列位GDS。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1.5-3;ID(A...
百度试题 题目MOS管工作在饱和区时,满足条件VDS___VGS-VTH,夹断区是___区。()? >,耗尽>,反型<,耗尽<,反型 相关知识点: 试题来源: 解析 >,耗尽 反馈 收藏
其中,Vds 是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出,只要 Vds 足够大,即使 VGS 略小于 VTH,也可以使 MOS 管导通。因此,在实际应用中,我们通常关注 Vds 的大小,而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。 我们更关注栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关系,是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通...