公式表示:虽然有一个公式VGS = VTH + Vds,但在实际应用中,我们更关注Vgs与Vth之间的关系,因为这直接决定了MOSFET的导通与截止状态。同时,Vds的大小也会影响MOSFET的工作区域和导通程度。 实际应用:在设计电路时,需要根据MOSFET的具体参数(如Vth、最大Vds、最大Vgs等)来选择合适的MOSFET,并确保电路中的电压和电
Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET...
可以用一个简单的公式表示:VGS = VTH + Vds。 其中,Vds 是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出,只要 Vds 足够大,即使 VGS 略小于 VTH,也可以使 MOS 管导通。因此,在实际应用中,我们通常关注 Vds 的大小,而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。 我们更关注栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关系,是因...
即临界时，Vgd=Vgs-Vds=Vth，即Vds=Vgs-Vth 这就是推导过程。你要站在电位差的角度，而且空间角度上，，你要考虑到源极跟漏极，对于门极来说都是对称的电极。所以，规律也是一样的。这就是本质。另外，源极的特殊地方，就是跟底部衬底连接在一起了。而漏极没有连接底部衬底。所以，不好理解。
MOSFET异常导通,肯定是里面的结构被异常导通了,那肯定和里面的结构有关系 为了说明这个问题,我们先说两个...
解:正确。当Vds I: 2(Vgs -Vth )时,器件工作在深线性区,此时虽然足够的 Vgs可以满足器件的导通条件,但是 Vds很小,以至于没有传输电流。 相关知识点: 试题来源: 解析 正确 MOSFET的导通由栅源电压Vgs决定。当Vgs超过阈值电压Vth时,沟道形成,器件导通。在深线性区(Vds < Vgs - Vth),即使Vds非常小导致电流...
:Vds=24V,Vgs=0V,此时MOS管由于Vgs小于Vth,在P区衬底和N型参杂区等效是两个反向的二极管,MOS管处于截止状态。 开通的波形如下图所示: 在t1~t2阶段:Vgs电压开始上升 h1654155957.9311 2023-03-22 14:52:34 MOS管驱动电路gs两端并接一个电阻有何作用? 如图所示MOS管驱动电路,定性分析可知,当MOS管关断时,MOS...
为什么放大管的Vgs-Vth一般设定在0.2V左右? 放大管的Vgs-Vth一般设定在0.2V左右? 放大管是电子设备中非常重要的一种元器件,它可以将低电压、低电流的信号放大成为高电压、高电流的信号 2023-09-21 15:55:49 Rdson和Vgs、Vds有怎样的关系? 在上一篇文章中我们聊了“Rdson对应MOS管的哪个工作区?”这个问题,并...
对于长沟道器件，vds＞vgs－vth，处于饱和区，当然前提是vgs要大于vth，这也就是导通了，电流为d到s ...