Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET...
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即临界时，Vgd=Vgs-Vds=Vth，即Vds=Vgs-Vth 这就是推导过程。你要站在电位差的角度，而且空间角度上，，你要考虑到源极跟漏极，对于门极来说都是对称的电极。所以，规律也是一样的。这就是本质。另外，源极的特殊地方，就是跟底部衬底连接在一起了。而漏极没有连接底部衬底。所以，不好理解。
对于长沟道器件，vds＞vgs－vth，处于饱和区，当然前提是vgs要大于vth，这也就是导通了，电流为d到s ...
为什么放大管的Vgs-Vth一般设定在0.2V左右? 放大管的Vgs-Vth一般设定在0.2V左右? 放大管是电子设备中非常重要的一种元器件,它可以将低电压、低电流的信号放大成为高电压、高电流的信号 2023-09-21 15:55:49 Rdson和Vgs、Vds有怎样的关系? 在上一篇文章中我们聊了“Rdson对应MOS管的哪个工作区?”这个问题,并...
:Vds=24V,Vgs=0V,此时MOS管由于Vgs小于Vth,在P区衬底和N型参杂区等效是两个反向的二极管,MOS管处于截止状态。 开通的波形如下图所示: 在t1~t2阶段:Vgs电压开始上升 h1654155957.9311 2023-03-22 14:52:34 MOS管简介:PART–0基础知识 导电沟道刚刚形成的时候那个正偏电压Vgs,称为开启电压Vgs(th)(或称为“...
MOS管处于线性工作区时,满足条件V 搜标题 搜题干 搜选项 单项选择题 MOS管处于线性工作区时,满足条件VDS()VGS-VTH,从源端到漏端沟道厚度越来越()。 A.>,大 B.>,小 C.< ,大 D.< ,小 AI智答 联系客服周一至周五 08:30-18:00 剩余次数:0 Hello, 有问题你_...
百度试题 题目在一个N沟道增强型场效应管中,哪种情况下导通? A. VGS > VTH且VDS > 0 B. VGS < VTH且VDS > 0 C. VGS > VTH且VDS < 0 D. VGS < VTH且VDS < 0 相关知识点: 试题来源: 解析 A null 反馈 收藏
其中,Vds 是源极和漏极之间的电压。从这个公式可以看出,只要 Vds 足够大,即使 VGS 略小于 VTH,也可以使 MOS 管导通。因此,在实际应用中,我们通常关注 Vds 的大小,而不是 VGS 与 VTH 之间的差距。 我们更关注栅源电压(VGS)与阈值电压(VTH)之间的关系,是因为这直接决定了MOS管的导通与截止状态。在MOS管导通...
百度试题 题目MOS管工作在饱和区时,满足条件VDS___VGS-VTH,夹断区是___区。()? >,耗尽>,反型<,耗尽<,反型 相关知识点: 试题来源: 解析 >,耗尽 反馈 收藏