LDMOS的电流饱和。与低压对称型CMOS不同，虽然二者都会因载流子速度饱和而体现Ids饱和及对应的Vdsat，但低...
Vdsat=Vgs-Vth的公式在描述MOSFET的线性区与饱和区分界点时存在局限性，尤其是对于短沟道器件和FINFET器件，误差较大。实际Vdsat值通常小于此数值。沟道夹断模型指出，当Vds大于等于Vgs-Vth时，Vgd小于Vth，漏端形成反型层，沟道在漏端发生夹断。这时，由于夹断区场强很大，即使没有沟道，载流子也会被强...
Vdsat=Vgs-Vth 是一个基于沟道夹断的近似模型，实际上并不是很准确，尤其是在短沟道器件、FINFET器件...
Vgs低于Vth约400mV时，LDMOS器件处于亚阈值状态，此时沟道并未完全阻断，具备一定程度的导电能力，随之而来的是饱和电压Vdsat。若将Vgs降低至0或-0.5V，观察现象变化。值得注意的是，LDMOS器件的饱和特性呈现出有趣的现象。与低压CMOS不同，虽然二者皆因载流子速度饱和表现出饱和电流Ids与对应的Vdsat，但CMOS...
Vod=Vgs-Vth,用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth,当Vds>Vdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。（长沟道器件）但是考虑到短沟道效应的模型里，沟道里的多子因为速度饱和效应（Velocity saturation），Vds不需要到达Vod，只要到达Vdsat，Ids就会饱和，不会...
一般来说认为VSB的背栅效应调制了VTH沟道导通不见得就有电流，源和漏之间有电位差，形成电场，才能有...
LDMOS的电流饱和。与低压对称型CMOS不同，虽然二者都会因载流子速度饱和而体现Ids饱和及对应的Vdsat，但...
MOSFET 的线性区和饱和区的分界点为什么是Vds=Vgs-开启电压？Vdsat=Vgs-Vth 是一个基于沟道夹断的近似...
与低压对称型CMOS不同，虽然二者都会因载流子速度饱和而体现Ids饱和及对应的Vdsat，但低压CMOS内的速度...
Vdsat=Vgs-Vth 是一个基于沟道夹断的近似模型，实际上并不是很准确，尤其是在短沟道器件、FINFET器件...