VDMOSFET(Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)即垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种广泛应用于电力电子领域的功率开关器件。下面将从结构、工作原理、电气特性、应用场景、技术参数以及制造流程等方面对VDMOSFET进行详细阐述。 1. 基本结构 VDMOSFET的基本结构主要包括栅...
一、VDMOSFET结构 VDMOSFET是由P型衬底上形成的N型沟道和漏极、栅极以及漏源区组成的。具体结构如下: 1. P型衬底:VDMOSFET的衬底是P型材料,它是整个器件的基础。衬底的掺杂浓度和厚度会影响器件的电特性。 2. N型沟道:N型沟道是在P型衬底上生长的,它负责电流的导通。沟道的深度和宽度决定了导通能力。 3. ...
VDMOSFET全称垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOSFET），具有高输入阻抗，开关速度快，热稳定性好等优点，同时具有正温度系数和良好的电流自调节能力，被广泛应用于适配器、LED驱动电源、TV电源、工业控制、电机调速、音频放大、高频...
专利摘要显示，本发明公开了一种具有接触插塞结构的 VDMOSFET 器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方均设置有绝缘层和栅介质层，导电源区的上方、栅介质层的上方和导电阱区的...
加码功率控制,WAYON维安VDMOSFET重磅来袭(由KOYUELEC光与电子0755-82574660提供技术方案应用支持) VDMOSFET全称垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor,VDMOSFET),具有高输入阻抗,开关速度快,热稳定性好等优点,同时具有正温度系数和良好的电流自...
1. 双扩散金属氧化物场效应管 b、DMOS: MOSFET制程 垂直式双扩散金属氧化物场效应管(VDMOSFET)制 程流程 在这个结构中,P型基体(P-Well) … wenku.baidu.com|基于3个网页 2. 高性能场效应管 深圳市先功集成... ... Advanced power semiconductors 新型电力电子器件:VDMOSFET高性能场效应管FAST DIODE 快速 ...
25:59 Silvaco TCAD ATLAS教程2,如何在SILVACO中定义网格,区域,材料,电极。 风过后的沙 3407 0 14:01 功率器件的开关和热特性仿真—VDMOS和IGBT的仿真、原理和其他(以Silvaco TCAD为例) 老张老湿 5236 0 08:56 半导体器件物理快速入门6版图设计入门3MOSFET版图设计 老张老湿 3508 1 ...
金融界 2025 年 1 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司取得一项名为“一种低阈值电压 SiC 圆形栅 VDMOSFET 功率器件”的专利，授权公告号 CN 112838125 B，申请日期为 2021 年 2 月。天眼查资料显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司，成立于2011年，位于北京市，是一...
摘要:按照功率VDMOSFET正向设计的思路,选取(100)晶向的衬底硅片,采用多晶硅栅自对准工艺,结合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工艺仿真软件,提取参数结果,并最终完成工艺产品试制,达到了500 V/8 A高压、大电流VDMOSFET的设计与研制要求。结果证明,通过计算机模拟仿真,架起了理论分析与实际产品试制之间的桥渠。相对于原来小批量...
VDMOSFET（VerticalDouble-diffusedMOSFET，垂直双扩散MOSFET）与双极型功率晶体管相比具有许多优良性能：–输入阻抗高–开关速度快–工作频率高–易驱动等特点因此，被广泛地应用于节能照明、开关电源、汽车电子、通讯等领域。2021/3/7 浙大微电子 3/125 VDMOS器件是在高阻外延层上采用平面自对准双扩散工艺，利用两次扩散...