功率VDMOSFET管是三端管脚的电压控制型开关器 件,在开关电源电路中的使用和双极型晶体管类似。其电 气符号如图I,三端引脚分别定义为栅极(Gate),漏极 (Drain)和源极(Source)。 功率VDMOSFET管按照器件的栅结构,可以分为平 面(Planar),沟槽(Trench)两大类。由于两者电参数 定义相同,所以本文仅就Planar功率VDMOS...
中国电力电子产业发展高峰论坛・ 论文集 如何理解功率VDMOSFET的电特性参数 无锡华润上华半导体有限公司张子敏 摘要:功率VDMOSFET器件由于其崩栅极电..
2、VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率特性好；跨导高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题，安全工作出了区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。现在...