MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培,漏源电压可以达到100V以上,但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点,使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后,VMOSFET的耐压可达到1000V以上,电流处理能力可达到几百安培。这得益于VMOSFET短沟道、高电阻漏极漂移区和垂直导电电路等特点。...
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原字原码 CRTD900N15NMOSFET场效应管 功率150V23A TO252 深圳市南山区鹏顺微元件商行11年 月均发货速度:暂无记录 广东 汕头市潮南区 ¥2.80 IRFB4115PBF TO-220 N沟道150V104A 直插MOSFET场效应管 全新现货 深圳市智立晟电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 ...
这就是VMOS管的结构与它的工作机理,它的精华所在就是第一次改变了MOSFET管的电流方向,电流不是在沿表面水平方向流动,而是从N+源极出发,经过与表面成54.7度的沟道流到N-漂移区,然后再垂直的流到漏极。 现在再回到开头,就是VMOS管的原理认清了之后,gemfield再关心它的存在的价值,或者说人们对MOSFET还有什么不 ...
英飞凌的 CoolSiC™ 系列 MOSFET 采用最先进的沟槽半导体工艺制造，经过优化，可实现应用的最低损耗和最高的运行可靠性。分立式 CoolSiC™ MOSFET 产品系列包括 650 V、750 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 电压等级，导通电阻额定值为 7 mΩ 至 1000 mΩ。CoolSiC™ 沟槽技术CoolSiC™ 沟槽技术可实现...
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采用OptiMOS™ 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆...
在600V和650V电压等级,CoolMOS™、CoolSiC™和CoolGaN™可以共存,以满足以下各种应用的需求:电动车充电、电机驱动加OBC(车载充电器)、电池化成、数据中心和电信开关电源、工业开关电源、太阳能光伏逆变器、储能、UPS等应用。 具体讲CoolMOS™SJMOSFET能够以最高性价比满足最高效率要求,包含的市面上最为广泛、...
微商用元件(MCC) 40V自动级n沟道mosfet设计用于在恶劣条件下工作,并符合严格的AEC-Q101行业标准。这些自动级mosfet具有优化的热性能,高达175°C的工作结温和低结壳热阻,确保了出色的散热和稳定的工作。40V n沟道mosfet利用分栅沟槽技术提供可靠的性能,确保在各种操作条件下的使用寿命和弹性。这些mosfet采用高功率密度封...
英飞凌 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100 V 系列主要面向开关电源 (SMPS) 、太阳能、电动工具和电池管理系统等应用。其性能的增强不仅可提升效率,还能简化热设计,减少并联,从而降低系统成本。 OptiMOS™ 6 100 V 是新一代功率 MOSFET 技术,与 OptiMOS™ 5 和 OptiMOS™ 3 一同丰富了英飞凌工业产品系列。若...