MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培,漏源电压可以达到100V以上,但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点,使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后,VMOSFET的耐压可达到1000V以上,电流处理能力可达到几百安培。这得益于VMOSFET短沟道、高电阻漏极漂移区和垂直导电电路等特点。...
场极板和沟道栅MOSFET的组合应用可带来当今市场上最低的电阻和最快的硅开关技术。 应用优点 在嵌入式功率系统中,目前面向100V MOSFET的主要应用有三种:AC/DC前端同步整流开关(输出电压12V～20V)、48V宽范围电源母线上的功率开关以及利用48V电源母线进行操作的隔离式DC/DC转换器的原边侧主开关。极低的Rds(on) 值...
这就是VMOS管的结构与它的工作机理,它的精华所在就是第一次改变了MOSFET管的电流方向,电流不是在沿表面水平方向流动,而是从N+源极出发,经过与表面成54.7度的沟道流到N-漂移区,然后再垂直的流到漏极。 现在再回到开头,就是VMOS管的原理认清了之后,gemfield再关心它的存在的价值,或者说人们对MOSFET还有什么不 ...
原装正品 IRF640NPBF IRF640 TO-220 N沟道 200V/18A 直插MOSFET 深圳市升微达电子有限公司6年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.86 CH18N200D 18A 200V TO-252封装 N沟道贴片MOS管 场效应管 深圳市程华电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 ...
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英飞凌 OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 100 V 系列主要面向开关电源 (SMPS) 、太阳能、电动工具和电池管理系统等应用。其性能的增强不仅可提升效率,还能简化热设计,减少并联,从而降低系统成本。 OptiMOS™ 6 100 V 是新一代功率 MOSFET 技术,与 OptiMOS™ 5 和 OptiMOS™ 3 一同丰富了英飞凌工业产品系列。若...
原装FDH055N15A 封装TO-247 N沟道150V167A 场效应管MOSFET 深圳市新大康科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.27 欧创芯OC5806L 内置150V3A MOS管DC-DC芯片 GPS北斗模块供电方案 深圳市程华电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 ...
英飞凌 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 小巧紧凑,品类齐全,包含适用于低、中、高功率应用的OptiMOS™及StrongIRFET™技术系列。 低压12 V-40 V MOSFET 产品系列涵盖 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 以及 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌OptiMOS™产品组合具有更高效率和功率密度,而种类齐全的Stro...
(a) VMOSFET DMOSFET：双扩散MOSFET，出现于上世纪80年代。其沟道区是以多晶硅作为掩膜进行双扩散形成的...
东芝提供广泛的12至300 VDSS MOSFET产品组合,其封装范围包括适用于小信号应用的超小型封装乃至大电流应用封装。东芝的MOSFET提供高速、低漏源导通电阻特性和低尖峰型,具有优化的缓冲电路吸收器常数。东芝的低噪声、低开关损耗MOSFET应用于要求高效率的服务器AC-DC开关电源