三、MOSFET的工作原理 通过在栅极施加电压,能够在源极和漏极之间形成一个电场,控制电流的导通与截止。当栅极电压超过某一阈值电压时,MOSFET进入导通状态,允许电流从漏极流向源极;反之,当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET截止,阻止电流流动。 图3. MOSFET的结构图 当漏源电压(VDS)为正,且栅极未施加电压时,漏极的PN结...
2、功率MOSFET的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面 ...
图1. MOSFET原理示意图 当栅源两端电压为零时,不论漏源之间的电压是正偏还是反偏,半导体中始终有反向偏置的PN结致使器件无法导通。当栅源两端加上一个正向电压且VGS上升到阈值时,P区形成一个反型层,为栅极和漏极之间创造了通路,此时MOS管导通。 为了增加MOS的耐压能力,常在P区和漏极的N+之间增加一段漂移区,...
接下来聊聊它的“工作原理”。简单说，MOSFET 就是靠半导体表面的电场效应来工作的。拿 N 沟道的 MOSFET 来举例吧。如果栅极电压是零的话，那源极和漏极之间的半导体区域基本上就是个“断头路”，漏极的电流几乎等于零。但是一旦栅极电压慢慢升高，升到超过某个值——也就是所谓的阈值电压的时候，栅极下面的半导...
一、MOSFET的结构 MOSFET是一种三端器件,由源极、栅极和漏极组成。其结构通常可分为四个区域:衬底区、绝缘层、栅极和沟道层。其中,衬底区为P型或N型半导体材料,绝缘层为氧化物层,栅极为金属材料,沟道层则是P型或N型半导体材料。 二、MOSFET的工作原理 1.漏源极结电压偏置 当漏源极间施加一定的反向电压时,...
MOSFET的工作原理介绍 MOSFET全称：金属（metal）- 氧化物（oxide）- 半导体（semiconductor）场效应（field-effect transistor）晶体管，MOS结构毫无疑问是当今微电子技术的核心结构。早在20世纪60年代，Kahng和Atalla首次报道了这种结构，即现在的平面结构器件MOSFET，该结构具有热生长成的SiO2绝缘栅、表面反型沟道，以及...
MOSFET 基本工作原理 通过改变栅源电压VGS来控制沟道的导电能力,从而控制漏极电流ID。因此它是一个电压控制型器件。转移特性反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 。 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
MOS 晶体管是一种四端器件,由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) 组成。图 1 显示了两种类型的 MOS 晶体管:N 沟道 MOSFET (NMOS) 和 P 沟道 MOSFET (PMOS)。一般来说,这两种通道类型的行为是相反的。 图1. NMOS 和 PMOS 原理图符号。图片由尼古拉斯·圣约翰提供 ...