摘要:较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍 了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的物理解析模型,并对模型给出的理论值与实验结果进行了比较,二者吻合得很好. 关键词:VDMOSFET;特征导通电阻;实用物理模型. 中图分类号:TN386.1 文献标识码:A 文章编号:100025846(2004...
基于MET模型的VDMOSFET建模基于MET模型的VDMOSFET建模 韩山;李文钧;林煊;刘军 【摘要】研究了VDMOS的独特结构,建立了适合该器件的拓扑结构,电容、源漏二极管和源漏电流方程,提出了一个基于MET模型的VDMOS模型.以Verilog-A 语言嵌入到EDA设计工具Cadence和电路模拟程序HSPICE中,基于Verilog-A 的仿真结果可实现与测试数据...
一种提高Power VDMOSFET栅电荷性能的新结构 VDMOSFET 导通电阻 栅电荷 优值 模拟内容分析 文献信息 引文网络 相关学者/机构 期刊文献 内容分析 关键词云 Freescale MET模型VDMOSVerilog-A参数提取变化是非线性实验验证射频电路控制型器件栅漏模型泊松方程源极电压电容电路仿真自然热效应高功率高频率振荡器 关键词热度...