埋沟MOSFET的C-V特性较为复杂,主要表现在以下几个方面: 由于埋沟结构的存在,沟道的电荷密度分布不均匀,导致C-V曲线不再是简单的二次函数,而是呈现出多峰、非对称等复杂形态。 埋沟结构的存在还会导致C-V曲线的斜率变化不连续,这会对器件的参数提取产生影响。 不完全离化对4H-SiC隐埋沟道MOS结构空间电荷区电特...
MOSFET的静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏...
功率MOSFET的栅极可以看作是栅极和源极端子之间的非线性电容。 尽管栅极不传导直流电流，也需要电流来对...
该文针对阻抗分析仪测量功率MOSFET器件的C_(GS)-V_(G)、C_(GD)-V_(G)进行详细的误差分析,揭示测量误差产生的原因;建立测量的等效电路,给出测量误差的解析表达式;结合实验和数值分析量化误差分析,验证了等效电路模型的有效性;最后,提出三种可实现C-V特性准确测量的调控方法并予以实验验证。结果表明,测量误差发生...
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将电力电子器件包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种和负载电阻R串联后接至直流电源的两端,由DJK06上的给定为新器件提供触发电压信号,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得在上述过程中器件的V/A特性;图中的电阻R用DJK09 上的可调电阻负载,将两个90Ω的电阻接成串联形式,最大可通过电流为;直流电压...
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埋沟MOSFET的C-V特性较为复杂,主要表现在以下几个方面: 1. 由于埋沟结构的存在,沟道的电荷密度分布不均匀,导致C-V曲线不再是简单的二次函数,而是呈现出多峰、非对称等复杂形态。 2. 埋沟结构的存在还会导致C-V曲线的斜率变化不连续,这会对器件的参数提取产生影响...
用MOSFET做二极管也有两种接法：一种是GD短接做一极，BS短接做另一极（比较常见）；还有一种是D做一...