在材料选择方面,VDMOSFET通常采用高纯度的硅作为衬底材料,二氧化硅作为栅极绝缘层材料,金属(如铝、铜等)作为电极材料。此外,随着新材料技术的发展,碳化硅(SiC)等第三代半导体材料也逐渐被应用于VDMOSFET的制造中,以提高器件的性能和可靠性。
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种能够减少寄生电荷量的 SiC VDMOSFET 结构”的专利，公开号 CN 118919564 A，申请日期为 2024 年 7 月。专利摘要显示，本发明涉及 MOS 半导体技术领域，且公开了一种能够减少寄生电荷量的 SiC VDMOSFE...
金融界2025年5月16日消息,国家知识产权局信息显示,杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种高可靠性SiC VDMOSFET结构”的专利,授权公告号CN222869299U,申请日期为2024年7月。 专利摘要显示,本实用新型涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种高可靠性SiC VDMOSFET结构,包括若干个相互并列的MOS元胞,所述MOS元...
金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于SiC VDMOSFET的高效热隔离结构”的专利，公开号 CN 119108429 A，申请日期为 2024 年 7 月。专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种用于 SiC VDMOSFET 的高效热隔离结构，包括若干个相互...
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增加JFET区源极接触的源极及栅极互联埋沟锥式槽VDMOSFET结构专利信息由爱企查专利频道提供,增加JFET区源极接触的源极及栅极互联埋沟锥式槽VDMOSFET结构说明:本发明公开增加JFET区源极接触的源极及栅极互联埋沟锥式槽VDMOSFET结构,在JFET区上方顶端...专利查询请上爱企查
专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构，包括金属漏极、半导体外延层、金属源极、栅极，以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层包括有N衬底层、扩散层、P阱层、掺杂P层以及N阱层；所述栅极的截面轮廓呈倒‘U’字形状，并且所述栅极的下方设有多晶硅...
本发明公开了一种VDMOSFET器件的终端结构及其制作方法。该VDMOSFET器件的终端结构包括沿竖直方向依次设置的第一电极、截止区、漂移区和介质层,所述漂移区内还分布有阱区、电极区以及间隔设置的多个沟槽,所述沟槽内填充有导电材料,以及,所述漂移区上还设置有第二电极,所述漂移区中对应于所述沟槽下部、中下部的区域内...
VDMOSFET器件的终端结构及其制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,VDMOSFET器件的终端结构及其制作方法说明:本发明公开了一种VDMOSFET器件的终端结构及其制作方法。该VDMOSFET器件的终端结构包括沿竖...专利查询请上爱企查
杭州谱析光晶半导体科技有限公司近期申请了一项名为“一种变掺杂U槽结构的VDMOSFET器件”的专利(公开号CN118763112A),这项技术创新无疑将引发市场的广泛关注。该项专利的发明不仅在技术上有重大突破,还可能对下一代功率半导体器件的性能提升产生深远影响。 这款新型VDMOSFET器件的设计显著改进了反向恢复电流的特性。