在功率SiC VDMOSFET（垂直型金属氧化物半导体场效应晶体管）设计中，Gate Pad的位置对芯片的性能、制造工艺以及布局优化都可能产生影响。尽管大部分竞品的Gate Pad都设计在芯片的中心位置，但一些产品将Gate Pad偏离芯片中心，位于偏右位置，这通常是基于以下几个考量：1.电气优化和寄生效应 在功率器件中，寄