TSMC通过3DFabric™技术平台提供先进的封装和互连解决方案,提升芯片性能、功耗和尺寸表现(PPA)。这个部分也是TSMC针对先进封装的布局,包括了CoWoS™,InFO™和SoIC™三个主要关键技术,联盟成员包括了EDA工具供应商,IP供应商,设计服务供应商,分装和测试服务供应商。主要包括:支持3D集成设计的开发;推动异质集成;提供PP...
第三个部分就是3DFabricTM,这个部分主要是其3D的硅堆叠技术以及先进的封装技术,主要是通过将这些先进封装技术和先进/特殊制程结合在一起,提供更加高性能的方案,具体来说,TSMC主要提供InFO、CoWoS、SOIC三种封装形式,通过下表可以看到,通过先进的封装形式,可以把芯片在三维空间做堆叠,进而可以让整个芯片的密度更高,在制...
3D芯片堆叠-台积电宣布其集成芯片系统(SoIC)解决方案的微凸版SoIC- p,为3D芯片堆叠提供了一种经济有效的方式。 SoIC-P 补充了 TSMC 现有的用于高性能计算 (HPC) 应用的无扰动解决方案,这些解决方案现在称为 SoIC-X。 设计支持-台积电推出3Dblox™ 1.5,是其开放标准设计语言的最新版本,旨在降低3D IC设计的障碍。
“Broadcom completed the successful bring-up of Industry’s first Face-to-Face 3D SoIC in September 2024. This device uses TSMC’s 5nm Process, 3D die-stacking and CoWoS packaging technologies to integrate 9 die and 6 HBM stacks in a large package. This paves the way for a number of 3...
TSMC-SoIC晶圆对晶圆（Wafer on Wafer, WoW）技术，藉由堆栈7纳米逻辑芯片于嵌入式深沟槽电容（Deep Trench Capacitor, DTC）芯片上，于2022年在高效能运算（High performance computing, HPC）产品展现出优异的系统效能提升。能够整合多个系统单芯片（System-on-Chip, SoC）、第二代高频宽存储器（s e cond ge ne ...
SoIC-P complète les solutions sans bosse existantes de TSMC pour les applications de calcul haute performance (HPC), qui sont maintenant connues sous le nom de SoIC-X. Support de conception –TSMC a lancé 3Dblox™ 1.5, la dernière version de son langage de conception standard ouvert ...
For 3DFabric Technology, TSMC is adding microbump SoIC-P in addition to SoIC-X (existing bumpless tech). CoWoS: CoWoS-S silicon interposer, CoWoS-L/R with RDL interposer. InFO PoP, Info-3 2.5D, InFO-3D. CoWos 1.4 reticle today, 3.3 times next (and 8HBMstacks), 4xreticle, and 12 ...
3D Chip Stacking – TSMC announced SoIC-P, microbump versions of its System on Integrated Chips (SoIC) solutions providing a cost-effective way for 3D chip stacking. SoIC-P complements TSMC’s existing bumpless solutions for high-performance computing (HPC) applications, which are now known as ...
On the 3D Si stacking portion, TSMC is adding a micro bump-based SoIC-P in the TSMC-SoIC®family to support more cost-sensitive applications. The 2.5D CoWoS®platform enables the integration of advanced logic and high bandwidth memory for HPC applications, such as AI, machine learning, an...
最后,台积电的N2技术采用了一种新的Cu RDL选项,具有平坦钝化和tsv,针对面对面和背对背的3D堆叠进行了优化,SoIC键间距为4.5 μm,这将成为AI, HPC甚至移动设计的可用功能。 台积电将于2025年下半年开始使用其N2工艺技术进行生产,这一进展将进一步巩固公司在全球半导体制造领域的领导地位,并为全球客户提供更高效、更...