从历史上看,这就导致二次离子质谱仪分为所谓的“静态Static”和“动态Dynamic”类型。 3静态SIMS与动态SIMS SIMS分析有时根据入射离子束中离子的通量(每平方厘米样品中撞击的离子数量)来区分“静态”和“动态”。与静态SIMS相比,动态SIMS使用的主离子通量要高得多...
二次离子质谱主要利用质谱法区分一次离子溅射样品表面后产生的二次离子,可用来分析样品表面元素成分和分布[2]。 飞行时间分析技术利用不同离子的质荷比不同造成的飞行速度不同来区分不同种类的离子。 TOF-SIMS结合了二次离子质谱和飞行时间器的功能,提高了检测样品元素成分和分布的准确性。 TOF-SIMS横向和纵向的分辨...
SIMS分析有时根据入射离子束中离子的通量(每平方厘米样品中撞击的离子数量)来区分 “静态”和“动态”。与静态SIMS相比,动态SIMS 使用的主离子通量要高得多,因此样品的穿透力更强(纳米到微米)。这也为分析低浓度离子(如掺杂剂和低丰度同位素)提供了更高的灵敏度。 静态SIMS中入射离子通量较低,从而降低了分析深度,...
四、半导体材料 硅油（Silicon Oil）污染的TOF-SIMS表面质谱图TOF-SIMS可以分析所有的导体、半导体、绝缘材料，也同样具备质谱仪的「全周期表」元素分析特色，以及ppm等级的侦测灵敏度。除此之外，TOF-SIMS的横向空间分辨率、纵深分析分辨率，非常适合像是多层膜结构、微量掺杂及有机无机异物的分析，也补足XPS或FT-IR...
飞行时间二次离子质谱仪已经发展成为一个强大的微观表面分析应用技术。该技术可应用在传统动态SIMS不能应用的领域,具有以下优点:可以在一个几乎无限制的质量范围内同步检测不同的离子;具有很高的高质量分辨率;达到精确质量测定,准确离子传输;分析样品表面的无机和有机污染物,同时具有微米和亚微米的分辨能力。
飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS),也叫静态二次离子质谱,是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。TOF-SIMS具有高分辨、高灵敏度、精确质量测定等性能,是目前高技术领域广泛使用的分析技术。 此外,TOF-SIMS是非常灵敏的表面分析手段。其凭借质谱分析、二维成像分析、深度元素分析等功能,广泛应用于医学、...
硅油(Silicon Oil)污染的TOF-SIMS表面质谱图 TOF-SIMS可以分析所有的导体、半导体、绝缘材料,也同样具备质谱仪的「全周期表」元素分析特色,以及ppm等级的侦测灵敏度。除此之外,TOF-SIMS的横向空间分辨率、纵深分析分辨率,非常适合像是多层膜结构、微量掺杂及有机无机异物的分析,也补足XPS或FT-IR分析技术上侦测极限的范...
煤及烃源岩中的有机组分的二次离子谱非常复杂,再加上目前对SIMS裂分机理掌握不够,因此,对煤及源岩有机质的SIMS谱图解释存在很多问题。目前对TOF-SIMS常见碎片离子峰认识程度综合于表7-7。本节研究重点是根据对现有峰位的认识,建立与13CNMR,Mirco-FT·IR可以类比的评价煤及烃源岩生潜性质的指标。
二次离子质谱大科普！TOF-SIMS实例分析 二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectrometry，SIMS）是一种非常灵敏的表面分析技术，通过用一次离子激发样品表面，打出的二次离子因质量不同而飞行到探测器的时间不同，实现不同元素、同位素及分子结构的探测。一、技术简介 静态二次离子质谱（TOF-SIMS），即飞行时间二次...