SIMS分析有时根据入射离子束中离子的通量(每平方厘米样品中撞击的离子数量)来区分 “静态”和“动态”。与静态SIMS相比,动态SIMS 使用的主离子通量要高得多,因此样品的穿透力更强(纳米到微米)。这也为分析低浓度离子(如掺杂剂和低丰度同位素)提供了更高的灵敏度。 静态SIMS中入射离子通量较低,从而降低了分析深度,...
飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS），也叫静态二次离子质谱，是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。TOF-SIMS具有高分辨、高灵敏度、精确质量测定等性能，是目前高技术领域广泛使用的分析技术。此外，TOF-SIMS是非常灵敏的表面分析手段。其凭借质谱分析、二维成像分析、深度元素分析等功能，广泛应用于医学...
例如利用TOF-SIMS对长期流通过的人民币表面上的指纹进行化学成像分析,利用TOF-SIMS的技术优势,显现传统方法无法显现的潜在指纹;利用其空间分辨率高的优势，获取指纹中三级特征:利用其对物质分子结构，特别是有机分子的鉴定能力,检测指纹中的外源性物质,为此类疑难样品表面的指纹分析提供新的解决思路。二、生物科学骨骼肌...
飞行时间二次离子质谱技术(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量,具有极高分辨率的测量技术。可以广泛应用于物理,化学,微电子,生物,制药,空间...
二次离子质谱(Secondary ion mass spectroscopy,简称SIMS)是一种表面分析技术,是基于一次离子与样品表面的相互作用。SIMS工作原理是指带有几千电子伏特能量的一次离子束入射样品表面,在作用区域激发出不同粒子包括二次电子、中性微粒、二次离子、反射离子等,
TOF-SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术,具有极高分辨率,可以提供表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素、分子等结构信息,其特点在二次离子来自表面单个原子层分子层(1nm以内),仅带出表面的化学信息,具有分析区域小、分析深度浅和不破坏样品的...
TOF-SIMS在线技术支持:康派斯检测 飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)技术,作为目前广受欢迎的表面分析技术之一,其在材料分析领域的独特优势已经得到了全球科研人员的广泛认可。此技术不仅具备出色的质量分辨本领和高空间分辨能力,更因其广泛的适用性,在有机、无机、生物、医学、电子、地质/考古、环境等多个领域都展现出...
飞行时间-二次离子质谱仪(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,简称TOF-SIMS) 是一种基于质谱的表面分析技术。其原理是基于一次离子与样品表面相互作用(如下图)。高能一 次离子束(如Ga+ ,Bi3+ , Arn+ ,Cs+等)轰击样品表面,在轰击区域产生包含样品表面成分信息的 带电粒子即离子,这些带电离子经过...
飞行时间二次离子质谱法（TOF-SIMS）是通过用一次离子激发样品表面，打出极其微量的二次离子，根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。元素分析范围广，可覆盖从氢元素至铀元素，包含有机无机材料的元素及分子态，拥有结构识别、检出限ppm级别、高表面灵敏度及其在...