二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)是一种用于研究固体表面的技术,通过用聚焦的一次离子束溅射样品表面,并分析喷出的二次离子(如下图)。通过测量二次离子的质量来识别二次离子,从而确定表面的元素、同位素和/或分子组成。 SIMS仪器由以下基本元素...
TOF-SIMS是将二次离子质谱技术与飞行时间质量分析技术相结合的前沿科学技术之一。早期的德国科学家Benninghoven及其研究团队使用磁场偏转质量分析器和四级杆质量分析器做S-SIMS研究,并于1979年制造了一台TOF-SIMS,称之为TOF-SIMS Ⅰ;随后又制备了反射型TOF-SIMS Ⅱ。1985年Benninghoven研究团队又将激光-SNMS装置整合到TO...
飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS），也叫静态二次离子质谱，是飞行时间和二次离子质谱结合的一种新的表面分析技术。TOF-SIMS具有高分辨、高灵敏度、精确质量测定等性能，是目前高技术领域广泛使用的分析技术。此外，TOF-SIMS是非常灵敏的表面分析手段。其凭借质谱分析、二维成像分析、深度元素分析等功能，广泛应用于医学...
1. 飞行时间二次离子质谱技术 飞行时间二次离子质谱技术(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一种非常灵敏的表面分析技术,通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量,具有极高分辨率的测量技术。可以广泛应用于物理...
除此之外，TOF-SIMS的横向空间分辨率、纵深分析分辨率，非常适合像是多层膜结构、微量掺杂及有机无机异物的分析，也补足XPS或FT-IR分析技术上侦测极限的范围。五、地质考古宋代华北油滴黑釉残片油滴的正负二次离子图像TOF-SIMS分析技术具有针对元素或分子的微区成像和深度剖析功能， 高质量分辨和高空间分辨特点，且离子...
TOF-SIMS是一种非常灵敏的表面分析技术,具有极高分辨率,可以提供表面,薄膜,界面以至于三维样品的元素、分子等结构信息,其特点在二次离子来自表面单个原子层分子层(1nm以内),仅带出表面的化学信息,具有分析区域小、分析深度浅和不破坏样品的...
飞行时间-二次离子质谱仪(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,简称TOF-SIMS) 是一种基于质谱的表面分析技术。其原理是基于一次离子与样品表面相互作用(如下图)。高能一 次离子束(如Ga+ ,Bi3+ , Arn+ ,Cs+等)轰击样品表面,在轰击区域产生包含样品表面成分信息的 带电粒子即离子,这些带电离子经过...
TOF-SIMS在线技术支持:康派斯检测 飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)技术,作为目前广受欢迎的表面分析技术之一,其在材料分析领域的独特优势已经得到了全球科研人员的广泛认可。此技术不仅具备出色的质量分辨本领和高空间分辨能力,更因其广泛的适用性,在有机、无机、生物、医学、电子、地质/考古、环境等多个领域都展现出...
二次离子质谱(Secondary ion mass spectroscopy,简称SIMS)是一种表面分析技术,是基于一次离子与样品表面的相互作用。SIMS工作原理是指带有几千电子伏特能量的一次离子束入射样品表面,在作用区域激发出不同粒子包括二次电子、中性微粒、二次离子、反射离子等,如图1所示;通过不同的探测器采集不同微粒可得到不同信息,收集...
飞行时间二次离子质谱法（TOF-SIMS）是通过用一次离子激发样品表面，打出极其微量的二次离子，根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。元素分析范围广，可覆盖从氢元素至铀元素，包含有机无机材料的元素及分子态，拥有结构识别、检出限ppm级别、高表面灵敏度及其在...